[发明专利]一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了很大部分的是高级超维场转换技术(ADSDS，ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)类型的TFT-LCD。其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。 

对于TFT-LCD而言，其最主要的部件为TFT阵列基板，参阅图1所示，现有技术下，高级超维场转换技术类型的TFT阵列基板的制造过程如下： 

步骤1-4：在玻璃基板0的像素区域(Pixel区域)形成第一像素电极层1，并采用掩膜工艺在形成的第一像素电极层1上形成第一像素电极。 

具体包括：假设第一像素电极层采用的刻蚀材料为ITO，则在玻璃基板0的像素区域形成ITO层，接着，在形成的ITO层上采用掩膜(Mask)工艺形成光刻胶，再对未经掩膜的ITO层进行刻蚀，最后，对光刻胶进行剥离，从而在Pixel区域基于ITO层形成第一像素电极。 

步骤5-8：在经步骤1-4后的玻璃基板0的像素区域和栅极区域(Gate Pad) 形成栅极层，并按照掩膜工艺在形成的层上形成栅电极2。 

具体包括：以导电性良好的金属作为材料，在玻璃基板0的像素区域和栅极区域形成栅极层，接着，在形成的栅极层上掩膜涂覆光刻胶，采用掩膜工艺对光刻胶进行曝光和显影处理，对不保留区域的光刻胶进行去除，再对掩膜已经去除光刻胶的栅极层进行刻蚀，最后，对光刻胶进行剥离，从而在像素区域和栅极区域基于栅极层形成栅电极2。 

步骤9-10：在经步骤5-8后的玻璃基板0上的像素区域、栅极区域和数据区域(Data Pad)形成绝缘层3、半导体层4和源漏电极层层5(SD层)。 

步骤11：在像素区域和数据区域形成的源漏电极层5上形成光刻胶6。 

步骤12：对经步骤11后未覆盖有光刻胶6的源漏电极层5进行第一次刻蚀。 

步骤13：对经步骤12后未覆盖有源漏电极层5的半导体层4进行第一次刻蚀。 

步骤14：按照构图工艺对像素区域和数据区域上形成的光刻胶6进行灰化。 

步骤15：对经步骤14后暴露的源漏电极层5进行第二次刻蚀，从而在像素区域形成源漏电极。 

步骤16-17：对经步骤15后暴露的半导体层4进行刻蚀，并将像素区域和数据区域上残留的光刻胶6进行剥离。 

步骤18-21：在经步骤16-17后的玻璃基板0上的像素区域、栅极区域和数据区域上形成第二绝缘层7，并按照掩膜工艺在像素区域、栅极区域和数据区域上形成光刻胶，再对未经掩膜的像素区域和数据区域上的第二绝缘层7，栅极区域上的第二绝缘层7和第一绝缘层3进行刻蚀。 

步骤22-25：在经步骤18-21后的玻璃基板0上的像素部、栅极区域和数据区域上形成公共电极层8，并按照掩膜工艺在形成的公共电极层8上形成公共电极。 

具体包括：假设公共电极层采用的选择性刻蚀材料为ITO，则在玻璃基板0的像素区域、栅极区域和数据区域上形成ITO层，接着，在形成的ITO层上采用掩膜工艺形成光刻胶，再对未经掩膜的ITO层进行刻蚀，最后，对光刻胶进行剥离，从而在像素区域、栅极区域和数据区域上基于ITO层形成公共电极。 

从上述流程中可以看出，传统的ADS类型的TFT-LCD阵列基板的生产工艺中，需要进行5次掩膜，工艺流程复杂，生成成本较高。 

有鉴于此，需要提出一种新的生成ADS类型的TFT-LCD阵列基板的方法，以简化上述流程。 

发明内容

本发明实施例提供一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法，用以简化生产TFT-LCD阵列基板的工艺流程，降低生产成本。 

本发明实施例提供的具体技术方案如下： 

一种制造TFT-LCD的方法，包括： 

在玻璃基板(0)的像素区域形成半导体层(A)，并采用掩膜工艺在所述半导体层(A)上形成半导体有源层；