[发明专利]具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

一压力反应室，包括一空间；

一晶片承载部，设于该压力反应室中，用以承载一半导体晶片或基板；以及

一可调式电导体，设于该压力反应室中且与该晶片承载部隔开，该可调式电导体用以产生一等离子体，该等离子体具有一密度，并且该密度于该压力反应室中的该空间中可选择性地被改变，其中该可调式电导体包括一线圈绕组，该线圈绕组包括至少两个线圈，这些线圈互相相对移动以改变该线圈绕组的至少一维度，该些线圈分别由中心向外螺旋状延伸。

2.如权利要求1所述的装置，其中该空间被形成于被该晶片承载部所承载的该晶片与该可调式电导体之间，或是该空间被形成于被该晶片承载部所承载的该基板与该可调式电导体之间，且该空间包括至少一维度，该维度可以被调整而改变或是通过调整该可调式电导体的形状而改变。

3.如权利要求1所述的装置，其中该晶片承载部，用以承载一半导体晶片或一基板，该半导体晶片或基板的直径为4英寸或大于4英寸。

4.一种装置，包括：

一压力反应室，包括一空间；

一晶片承载部，设于该压力反应室中，用以承载一半导体晶片或基板；以及

一可调式电导体，设于该压力反应室中且与该晶片承载部隔开，该可调式电导体用以产生一等离子体，该等离子体具有一密度，并且该密度于该压力反应室中的该空间中可选择性地被改变，其中该可调式电导体包括至少两个线圈绕组，每个线圈绕组包括至少两个线圈，这些线圈绕组互相独立地由分离电压所驱动，且这些线圈互相相对移动以改变该线圈绕组的至少一维度，该些线圈分别由中心向外螺旋状延伸。

5.如权利要求4所述的装置，其中该空间被形成于被该晶片承载部所承载的该晶片与该可调式电导体之间，或是该空间被形成于被该晶片承载部所承载的该基板与该可调式电导体之间，且该空间包括至少一维度，该维度可以被调整而改变或是通过调整该可调式电导体的形状而改变。

6.如权利要求4所述的装置，其中该晶片承载部，用以承载一半导体晶片或一基板，该半导体晶片或基板的直径为4英寸或大于4英寸。

7.一种等离子体密度分布控制的方法，包括以下步骤：

将一晶片或一基板置于一压力反应室中，该压力反应室包括一可调式电导体，其中该可调式电导体包括一线圈绕组，该线圈绕组包括至少两个线圈，这些线圈互相相对移动以改变该线圈绕组的至少一维度，该些线圈分别由中心向外螺旋状延伸；以及

调整该可调式电导体的线圈绕组，以产生一等离子体，该等离子体具有一密度，且该密度于该压力反应室中的空间中可选择性地被改变。

8.如权利要求7所述的方法，其中该调整该可调式电导体的步骤是调整该可调式电导体的形状以使该晶片或该基板所在的该空间能够被选择性地改变其高度。

9.如权利要求7所述的方法，还包括一施加一电压于该可调式电导体以及该晶片或该基板之间的步骤。

10.如权利要求9所述的方法，其中该可调式电导体被调整为一平面形状、一凹面、一凸面形状或一波浪状，以使该晶片或该基板所在的该空间的高度大致为固定不变。