[发明专利]用于相变存储器的相变材料无效
| 申请号： | 201110306748.0 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050620A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 任堃;饶峰;宋志棠;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于：所述相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料。
2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的相变材料，其特征在于：所述相变材料的通式为Al2Tex，其中，1≤x≤30。
3.根据权利要求1所述的用于相变存储器的相变材料，其特征在于：所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。
4.根据权利要求1、2或3所述的用于相变存储器的相变材料，其特征在于：所述Al2Tex材料通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、溶胶凝胶、或金属有机物沉积手段制备。
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