[发明专利]光波导元件

说明书

技术领域

本发明涉及光波导元件，尤其涉及经由粘接剂层接合在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成光波导的光波导基板与加强基板而成的光波导元件。

背景技术

在光波导元件中，因为光调制器的调制带宽的宽带化和驱动电压的降低，使形成了光波导的基板变薄到10μm的程度，提高电场效率以及调整速度匹配条件，谋求提高光调制器的调制性能。此外，为了能够在制造工序中稳定地处理变薄加工后的基板，此外为了确保产品的机械强度，如专利文献1所示，提出了具有在薄板化的主基板上粘接了加强基板的结构的光波导元件。

此外，薄板化的主基板容易因为局部电荷集中引起的电涌现象使基板损坏。为了防止基板损坏，在专利文献2中提出了在主基板上形成的电极的下方设置低介电常数层。此外，在专利文献3中提出了在光波导元件的侧面部或主基板与加强基板之间设置导电膜，使其具有电荷防止效应等，抑制对于基板的损伤的结构等。

上述专利文献2以及3所示的技术手段主要着眼于解决经过晶圆工序成为光波导元件(芯片状)后的课题。但是，在使用铌酸锂(LN)等热电效应高的主基板或加强基板时，由于工序中或工作中的温度变化，根据基板具有的热电效应而在基板表面产生电荷(charge)。

一般，在薄的主基板与支撑该主基板的加强基板中，加强基板体积大，热电效应导致的电位差、电荷产生量大。此外，在晶圆状态下执行的晶圆工序等中，晶圆状态的体积大于光波导元件状态(芯片形状)的体积，在晶圆状态下也容易受到电荷等的影响。

在光波导元件的制造工序中，在将薄的主基板与加强基板粘合后的工序中存在以下的问题：在体积大的加强基板上积蓄的电荷经由介电常数高于空气的粘接层等产生火花，使主基板产生损伤，使产品的成品率降低。特别是在粘接层与加强基板的边界面，当存在由于粘接层的厚度不均或粘接层中的不纯物等，电阻低于其外周部的部分时，火花跑向电阻低的地点，对粘接层造成重大损伤，成为导致光波导元件的光损失或使其他性能、可靠性降低的原因。

【专利文献1】日本特开2010-85789号公报

【专利文献2】日本特开2010-85738号公报

【专利文献3】日本特开2007-101641号公报

【专利文献4】日本特开平6-289341号公报

发明内容

本发明要解决的课题在于，解决上述问题，提供一种光波导元件，不仅在光波导元件的状态下，在制造光波导元件的工序中也能够抑制加强基板的热电效应对光波导元件造成的损伤，抑制光波导元件的电气特性的恶化，并且改善生产中的成品率。

为了解决上述课题，权利要求1的发明的特征为：在经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成的光波导元件中，在该加强基板的该粘接剂层一侧的表面上设置有半导体层。

权利要求2的发明的特征为：在经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成的光波导元件中，在该光波导基板和加强基板之间的粘接剂层内部形成有半导体层。

权利要求3的发明的特征为：在权利要求1或2记载的光波导元件中，该半导体层的体积电阻率低于该粘接剂层的体积电阻率，并且低于该加强基板的体积电阻率。

根据权利要求1的发明，因为在经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成的光波导元件中，在该加强基板的该粘接剂层一侧的表面上设置有半导体层，所以使在加强基板上积蓄的电荷分散，能够阻止由于电荷局部集中而产生的火花。由此，能够抑制光波导元件损坏，防止光波导元件的电气特性的恶化。并且，在形成了该半导体层之后，可以在制造工序中抑制从加强基板向光波导基板的火花，改善了生产中的成品率。

根据权利要求2的发明，因为在经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成的光波导元件中，在该光波导基板和该加强基板之间的粘接剂层内部形成有半导体层，所以能够抑制由于在加强基板上积蓄的电荷导致朝向光波导基板的电场局部集中，能够抑制从加强基板向光波导基板的火花。并且，在形成了该半导体层之后，能够在之后的制造工序中抑制从加强基板向光波导基板的火花，能够改善生产中的成品率。