[发明专利]光波导元件无效
| 申请号： | 201110306639.9 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102445770A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 神力孝;市冈雅之;藤野哲也 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种光波导元件，经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成，该光波导元件的特征在于，
在该加强基板的该粘接剂层一侧的表面上设置有半导体层。
2.一种光波导元件，经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成，该光波导元件的特征在于，
在该光波导基板和加强基板之间的粘接剂层内部形成有半导体层。
3.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该半导体层的体积电阻率低于该粘接剂层的体积电阻率，并且低于该加强基板的体积电阻率。
4.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
在该加强基板的该粘接剂层侧的表面上具有凹凸。
5.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
所述具有光电效应的基板使用铌酸锂、钽酸锂、PLZT(锆钛酸铅镧)以及它们的组合。
6.根据权利要求5所述的光波导元件，其特征在于，
所述半导体层使用Si、SixNy或SiOz，其中，x、y以及z能够被适当地调整以调整半导体的体积电阻率和介电常数。
7.根据权利要求6所述的光波导元件，其特征在于，
所述粘接剂的体积电阻率为1.0×1015Ωcm以下。
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