[发明专利]光学记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110304743.4 申请日: 2008-11-25
公开(公告)号: CN102360559A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 和田豊 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G11B7/254 分类号: G11B7/254;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/257;G11B7/26
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 记录 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光学记录介质,包括:

无机记录层;以及

保护层,被设置在所述无机记录层的至少一个表面上;

其中,所述无机记录层具有满足以下式(1)的组成:

[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y…(1)

其中,0<x≤1.0、0.3≤y≤0.7、以及0.8<z≤1.0,并且X为 选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成 的组中的至少一种元素。

2.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,所述无机记录层的厚 度为3nm以上且40nm以下。

3.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,X为Sn元素。

4.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,所述保护层包含氧化 铟和氧化锡作为主要成分。

5.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,所述保护层设置在所 述无机记录层的表面中的用于记录和/或再生的激光束入射到其上 的表面上,并且

所述保护层的厚度为11nm以上且34nm以下。

6.根据权利要求1所述的光学记录介质,还包括热积累层,其设置在 所述无机记录层的至少一个表面上,

其中,所述无机记录层与所述热积累层邻接。

7.根据权利要求6所述的光学记录介质,其中,所述热积累层包含ZnS 和SiO2作为主要成分。

8.根据权利要求6所述的光学记录介质,其中,当以d1来表示所述保 护层的厚度,而以d2来表示所述热积累层的厚度时,这些厚度d1 和d2满足关系0.07≤d2/(d1+d2)≤0.95,其中,所述热积累层设 置在所述保护层和所述无机记录层之间。

9.一种光学记录介质的制造方法,包括:

形成无机记录层的步骤;以及

在所述无机记录层的至少一个表面上形成保护层的步骤,

其中,所述无机记录层具有满足以下式(1)的组成:

[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y…(1)

其中,0<x≤1.0、0.3≤y≤0.7、以及0.8<z≤1.0,并且X为 选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成 的组中的至少一种元素。

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