[发明专利]光学记录介质及其制造方法无效
申请号: | 201110304743.4 | 申请日: | 2008-11-25 |
公开(公告)号: | CN102360559A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 和田豊 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11B7/254 | 分类号: | G11B7/254;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/257;G11B7/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学记录介质,包括:
无机记录层;以及
保护层,被设置在所述无机记录层的至少一个表面上;
其中,所述无机记录层具有满足以下式(1)的组成:
[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y…(1)
其中,0<x≤1.0、0.3≤y≤0.7、以及0.8<z≤1.0,并且X为 选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成 的组中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,所述无机记录层的厚 度为3nm以上且40nm以下。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,X为Sn元素。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,所述保护层包含氧化 铟和氧化锡作为主要成分。
5.根据权利要求1所述的光学记录介质,其中,所述保护层设置在所 述无机记录层的表面中的用于记录和/或再生的激光束入射到其上 的表面上,并且
所述保护层的厚度为11nm以上且34nm以下。
6.根据权利要求1所述的光学记录介质,还包括热积累层,其设置在 所述无机记录层的至少一个表面上,
其中,所述无机记录层与所述热积累层邻接。
7.根据权利要求6所述的光学记录介质,其中,所述热积累层包含ZnS 和SiO2作为主要成分。
8.根据权利要求6所述的光学记录介质,其中,当以d1来表示所述保 护层的厚度,而以d2来表示所述热积累层的厚度时,这些厚度d1 和d2满足关系0.07≤d2/(d1+d2)≤0.95,其中,所述热积累层设 置在所述保护层和所述无机记录层之间。
9.一种光学记录介质的制造方法,包括:
形成无机记录层的步骤;以及
在所述无机记录层的至少一个表面上形成保护层的步骤,
其中,所述无机记录层具有满足以下式(1)的组成:
[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y…(1)
其中,0<x≤1.0、0.3≤y≤0.7、以及0.8<z≤1.0,并且X为 选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成 的组中的至少一种元素。
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