[发明专利]洗净方法及洗净液供给装置

说明书

本申请是申请号为200910179006.9、申请日为2009年10月9日、发明 名称为“掩模相关基板的洗净方法、洗净方法及洗净液供给装置”的专利 申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种从掩模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间 体中选择出来的掩模相关基板的洗净方法，特别涉及一种用以除去附着在掩 模相关基板的表面上的硫酸离子、或是抑制微粒的发生的技术。

背景技术

以IC、LSI、VLSI等的半导体集成电路的制造为首，被使用于广范围的 用途中的掩模，基本上，是根据以下方式来获得：在透光性基板(掩模用基板) 上，先成膜由金属或含有金属化合物的薄膜所构成的遮光膜，而作成空白掩 模，然后使用电子束微影法来将该空白掩模的该遮光膜，加工成规定的遮光 膜图案。

近年来，随着半导体集成电路的高集积化等的市场要求，图案的微细化 也急速地进展，相对于此，为了提高曝光步骤中的光阻分辨率，是根据谋求 曝光波长的短波长化及增大透镜的开口数来加以对应。

在上述半导体集成电路的制造等之中所使用的微影法，是使用一种掩 模，是作为原图而将电路图案转印在光阻上，且相对于曝光光源，在透明的 基板上，根据金属化合物而形成有遮光部。

但是，若掩模逐渐使用于极微细的图案的曝光时，即便是极微细的异物 及雾状(模糊不清)也会成为缺陷，所以掩模及用以制造掩模的材料，要求极 高的洁净性。

掩模，不论是具有将曝光光源几乎完全地遮断的遮光部的二进制掩模； 或是一边使光减衰一边相对于光透过部使光的相位反转，并根据曝光光源的 绕射(diffraction)来防止明暗对比降低的半色调相位移掩模(halrfone phase  shift mask)等，都已经实用化。这些掩模，是在石英或CaF₂等的透明基板上， 具有铬化合物或金属硅化合物的遮光部。

又，掩模，是先在上述般的透明基板上，成膜上数遮光膜材料的薄膜， 然后根据电子束微影法等，在其上形成光阻图案，并根据蚀刻来将图案转印 在遮光材料上这样的顺序，而制作出来，但是如上所述，由于要求极高洁净 度，所以在各步骤中，要进行极严格的洗净。

然而，作为曝光光源，若使用ArF准分子激光这样的高能量线，则由于 残留在基板上的硫酸离子与铵离子而会生成硫酸铵的微小结晶，且发现此微 小结晶会变成微粒，并作为缺陷来计算其数量，因而成为问题(例如参照日本 特开2005-202135号公报)。利用加温后的纯水来冲淋掩模材料的方法，本案 申请人已经在日本特开2004-19994号公报中提出申请，此种使用温水的方 法，相较于使用常温的水来进行洗净的情况，除去硫酸离子的效果高，此已 经揭示于日本特开2004-53817号公报中。

然而，即便是如此地使用加温后的纯水来进行洗净的情况，在基板干燥 后，也会发生微粒。

又，用以制造空白掩模的石英、CaF₂等的基板、或是空白掩模的洗净， 当使用界面活性剂来进行洗净之后，使用惰性水或臭氧水来进行多段的洗 净，并根据需要，在各阶段中，使用超纯水来进行冲淋(例如参照日本特开 2001-96241号公报或特开2002-151453号公报等)。

另一方面，即便是如上述般地进行多段的洗净后的情况，所得到的基板， 并非一定是洁净的，而是常会发生微细异物。例如，当干燥方法不适当的情 况，也有在使水滴干燥时，发生污染(异物)的情况(参照日本特开2004-19993 号公报)。

发明内容

本发明是基于此种问题点而发明出来，其目的是提供一种洗净方法及用 以将洗净液供给至洗净装置中的洗净液供给装置；该洗净方法，在洗净从掩 模用基板、空白掩模、掩模及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关 基板的情况，能利用简便的方法来提高对于硫酸离子的洗净效率，进而能极 度地减少微小异物(微粒)的发生量。

为了解决此问题，本发明提供一种掩模相关基板的洗净方法，其特征在 于：

当根据纯水来洗净从被硫酸离子污染后的掩模用基板、空白掩模、掩模 及这些物品的制造中间体中选择出来的掩模相关基板时，

对在该洗净中所使用的纯水，预先进行将溶解气体脱气的脱气步骤。