[发明专利]一种上电极及应用该上电极的等离子体加工设备有效
| 申请号: | 201110303332.3 | 申请日: | 2011-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN103031543A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 王锴;韦刚 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电极 应用 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种上电极,包括上极板、与所述上极板相对的下极板以及连接板,所述上极板、下极板和连接板形成空腔,在所述下极板上设置有贯穿其厚度的气孔,其特征在于,在所述上极板和下极板之间设有导体环,所述导体环将所述空腔分成沿其径向方向分布的多个环形子腔室,导体环上有连通各环形子腔室的径向通孔,而且在所述上极板上与每个所述环形子腔室对应的位置设有一个或多个进气通道。
2.根据权利要求1所述的上电极,其特征在于,所述导体环与所述上极板或下极板为一体结构,即所述导体环为设置在所述上极板或下极板上的凸部。
3.根据权利要求1所述的上电极,其特征在于,在所述上极板和下极板之间设有多个所述导体环,且所述多个导体环的中心线与所述空腔的中心线重合。
4.根据权利要求1所述的上电极,其特征在于,所述导体环在上电极所在平面上的投影的形状与所述连接板在上电极所在平面上的投影的形状相似。
5.根据权利要求4所述的上电极,其特征在于,所述连接板在上电极所在平面上的投影的形状为圆环形,对应地,所述导体环在上电极所在平面上的投影的轮廓为圆环形。
6.根据权利要求5所述的上电极,其特征在于,所述上极板的直径为380~420mm,所述上极板和下极板之间的距离为18~22mm,在所述空腔内设有一个所述导体环,且所述导体环的外径尺寸为28~32mm,其内径尺寸为20~24mm。
7.根据权利要求5所述的上电极,其特征在于,所述上极板的直径为480~520mm,所述上极板和下极板之间的距离为8~12mm,在所述空腔内设有一个所述导体环,且所述导体环的外径尺寸为140~160mm,其内径尺寸为132~152mm。
8.根据权利要求5所述的上电极,其特征在于,所述上极板的直径为580~620mm,所述上极板和下极板之间的距离为22~26mm,在所述空腔内设有一个所述导体环,且所述导体环的外径为尺寸为180~200mm,其内径尺寸为172~192mm。
9.根据权利要求4所述的上电极,其特征在于,所述连接板在上电极所在平面上的投影的形状为多边环形,对应地,所述导体环在上电极所在平面上的投影的形状为多边环形。
10.根据权利要求9所述的上电极,其特征在于,所述连接板在上电极所在平面上的投影的形状为四方环形,对应地,所述导体环在上电极所在平面上的投影的形状为四方环形。
11.根据权利要求1所述的上电极,其特征在于,所述导体环采用铝、铜或铝合金制作而成。
12.一种等离子体加工设备,其包括反应腔室,在所述反应腔室内部的靠上位置设置有上电极,在所述反应腔室的底部且与上电极相对的位置设有下电极,其特征在于,所述上电极采用权利要求1-11中任意一项所述的上电极。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





