[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括至少两个静电放电保护单元，所述静电放电保护单元包括：

P型基底；

P型外延层，位于P型基底的一侧；

N型埋层，位于P型基底中相邻于P型外延层的一侧，并位于P型外延层中；

第一N型阱，位于N型埋层相对于P型基底的另一侧，并处于P型外延层中；

第一P型阱，与第一N型阱相邻地位于N型埋层相对于P型基底的另一侧，并处于P型外延层中；

第二N型阱，与第一P型阱相邻地位于N型埋层相对于P型基底的另一侧，并处于P型外延层中；

ESD掺杂注入层，位于第一P型阱与第一N型阱中；

第一N+型区，第一P+型区，位于ESD掺杂注入层中；

第二N+型区，第二P+型区，位于第一型阱中，该第一型阱位于ESD掺杂注入层外，并且与ESD掺杂注入层的载流子类型相反；

所述至少两个静电放电保护单元相互串联。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：静电放电保护单元之间通过第二P型阱相互串联。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于：所述第二P型阱位于P型外延层中，第二P型阱与前一静电放电保护单元的第二N型阱、后一静电放电保护单元的第一N型阱相连。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：所述ESD掺杂注入层为N型掺杂或P型掺杂。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：各静电放电保护单元的ESD掺杂注入层的掺杂类型不相同。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：各静电放电保护单元包括：第一电极，与第一N+型区和第一P+型区相连接；

第二电极，与第二N+型区和第二P+型区相连接。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：各静电放电保护单元的触发电压由ESD掺杂注入层的注入能量和剂量决定。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：各静电放电保护单元的维持电压由ESD掺杂注入层的尺寸决定。

9.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括至少两个静电放电保护单元，所述静电放电保护单元包括：

P型基底；

氧化层，形成于该P型基底之上；

第一N型阱，形成于该氧化层之上；

第一P型阱，形成于该氧化层之上并邻接该第一N型阱；

第一沟槽，形成于该氧化层之上，并且邻接该第一N型阱；

第二沟槽，形成于该氧化层之上，并且邻接该第一P型阱；

ESD掺杂注入层，形成于该P型阱与该第一N型阱中；

第一N+型区，第一P+型区，平行设置于该ESD掺杂注入层中；

第二N+型区，第二P+型区，平行设置于该ESD掺杂注入层外，并且设置于与该ESD掺杂注入层导电类型相反的第一N型阱或第一P型阱中；所述静电放电保护单元相互串联。

10.根据权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于：静电放电保护单元之间通过间隔结构相互串联。

11.根据权利要求10所述的静电放电保护装置，其特征在于：所述间隔结构形成于所述氧化层之上，所述间隔结构邻接前一静电放电保护单元的第二沟槽与后一静电放电保护单元的第一沟槽。

12.根据权利要求10所述的静电放电保护装置，其特征在于：所述间隔结构为P型阱。

13.根据权利要求12所述的静电放电保护装置，其特征在于：所述间隔结构为N型阱。

14.根据权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于：该ESD掺杂注入层为N型掺杂或P型掺杂。

15.根据权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于：各静电放电保护单元的ESD掺杂类型不相同。

16.根据权利要求15所述的静电放电保护装置，其特征在于：各静电放电保护单元包括：

第一电极，与所述第一N+型区和第一P+型区连接；

第二电极，与所述第二N+型区和第二P+型区连接。