[发明专利]自支撑(Al, Ga, In)N制品及其形成方法有效
| 申请号： | 201110301148.5 | 申请日： | 2002-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102383193A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·P·沃多;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒;迈克尔·K·凯利 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑 al ga in 制品 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成自支撑(Al，Ga，In)N制品的方法，包括以下步骤：
在外延相容的牺牲模板上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料，以形成包括牺牲模板和(Al，Ga，In)N材料之间界面的牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品；和
对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性以便将牺牲模板与(Al，Ga，In)N材料分离，并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品，
其中对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性的步骤包括用激光能量冲击界面，并监视激光能量的反射率，用于控制界面改性。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光能量透过(Al，Ga，In)N传播到界面上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光能量具有的功率密度足以引发界面材料的化学和/或物理变化，从而弱化相应模板和(Al，Ga，In)N材料的界面结合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中(Al，Ga，In)N材料包括c面GaN，牺牲模板包括c面兰宝石。
5.根据权利要求4所述的方法，其中扫描图案包括沿c面GaN的{11-20}方向进行扫描。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在压力从约10-6到约1010托范围的处理环境中实施界面改性。
7.根据权利要求1所述的方法，其中对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性的步骤在自支撑(Al，Ga，In)N制品冷却到环境温度之前进行。
8.根据权利要求1所述的方法，包括在界面上提供中间层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性的步骤包括用激光能量冲击界面，所述激光能量具有的光子能量大于(Al，Ga，In)N材料和牺牲模板材料中一种材料的能带隙，并小于另一种材料的能带隙。
10.根据权利要求1所述的方法，其中对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性的步骤包括将牺牲模板与(Al，Ga，In)N材料部分分离，并且进一步包括将牺牲模板/(Al，Ga，In)N制品冷却到环境温度，以完成牺牲模板与(Al，Ga，In)N材料的分离。
11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在自支撑(Al，Ga，In)N制品上生长另外的(Al，Ga，In)N。
12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成包括所述自支撑(Al，Ga，In)N制品的微电子装置或装置的先驱结构。
13.一种根据权利要求1至10中任一项所述的方法生产的(Al，Ga，In)N制品。
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