[发明专利]控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法无效
| 申请号： | 201110298914.7 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446753A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 电抗 反射 薄膜 反射率 系数 方法 | ||
1.一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：
将反应气体通入到排气管道直到其稳定；
先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；
进行介电抗反射薄膜沉积；以及
先关反应气体然后再关闭电浆。
2.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，先通反应气体流入反应腔，再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
3.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，先开启电浆，再通反应气体流入反应腔，将降低整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
4.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒。
5.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，反应气体为SiH4和N2O，其中SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。
6.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，得到的介电抗反射薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
