[发明专利]一种金属表面的陶瓷膜层及其制备方法无效
| 申请号： | 201110297310.0 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103014706A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 柯全 | 申请（专利权）人： | 柯全 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C25D11/04;C23C24/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 518023 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属表面 陶瓷膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属表面的陶瓷膜层的制备方法，其特征在于包含下列步骤：将微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层和陶瓷粉末进行预置式激光熔覆或同步式激光熔覆，即可。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的预置式激光熔覆包含下列步骤：在微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层表面涂覆陶瓷粉末，然后通过激光熔覆的方式，使陶瓷粉末同所述的微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层进行冶金级结合，即可。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的同步式激光熔覆包含下列步骤：将陶瓷粉末直接送入激光束中，在微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层表面进行激光熔覆，使陶瓷粉末同所述的微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层进行冶金级结合，即可。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层为将铝合金、镁合金或钛合金表面通过微弧氧化工艺得到的陶瓷膜层。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的陶瓷粉末为氧化物粉末、碳化物粉末和/或氮化物粉末。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述的氧化物粉末为ZrO2、Al2O3、SiO2、TiO2、BeO、MgO和ZnO粉末中的一种或多种。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述的碳化物粉末为WC、TiC、SiC和B4C粉末中的一种或多种。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述的氮化物粉末为TiN、AlN、BN和Si3N4粉末中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的激光熔覆的温度范围为800～2200℃。
10.如权利要求1～9任一项所述的金属表面的陶瓷膜层的制备方法制得的陶瓷膜层。
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