[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。

薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及沟道层等部件，通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性。一般地，在沟道层形成之后，通过掺杂的方法在沟道层的相反两端形成高掺杂区域以形成源极和漏极。然而，上述掺杂的过程不仅使薄膜晶体管的制作工艺复杂化，而且还需要额外的设备如离子注入机等，这无疑会增加薄膜晶体管的制作成本。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种制备过程简单的薄膜晶体管的制造方法。

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板上形成一氧化物半导体层；在该氧化物半导体层上形成一栅绝缘层以覆盖氧化物半导体层的部分区域；以该栅绝缘层作为掩膜，采用光子能量小于该氧化物半导体层禁带宽度的光线照射未被栅绝缘层覆盖的区域以形成源极和漏极，未被光线照射的区域作为沟道层；以及在该栅绝缘层的表面形成栅极。

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板上形成一栅极；在基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；在栅绝缘层上形成一氧化物半导体层；在该氧化物半导体层上形成一蚀刻阻挡层以覆盖氧化物半导体层的部分区域；以及采用光子能量小于该氧化物半导体层禁带宽度的光线照射未被蚀刻阻挡层覆盖的区域以形成源极和漏极，未被光线照射的区域作为沟道层。

在本发明提供的薄膜晶体管的制造方法中，采用光子能量小于氧化物半导体材料禁带宽度的光线照射除沟道层以外的区域，此时，光子的能量将会被氧化物半导体材料所吸收，减少氧和氢或其他金属的耦合键接，使材料中氧空位含量增加，或光子的能量被氧化物半导体材料吸收后转换成热能。在温度的作用下，使氧化物半导体材料中氧空位含量增加，从而提高其载流子浓度及导电性能。上述过程无需通过在沟道层上掺杂的方式使源极和漏极的载流子浓度高于沟道层，从而使制备过程简单，降低薄膜晶体管的制作成本。

附图说明

图1-图4是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管的制造过程示意图。

图5-图10是本发明第二实施例提供的薄膜晶体管的制造过程示意图。

主要元件符号说明