[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 201110296518.0 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103021825A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
在基板上形成一氧化物半导体层；
在该氧化物半导体层上形成一栅绝缘层以覆盖氧化物半导体层的部分区域；
以该栅绝缘层作为掩膜，采用光子能量小于该氧化物半导体层禁带宽度的光线照射未被栅绝缘层覆盖的区域以形成源极和漏极，未被所述光线照射的区域则作为沟道层；以及
在该栅绝缘层的表面形成栅极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体材料选自IGZO、ZnO、TiOx、GTO、GZO、AZO、IZO、ITO、ATO、In2O3及SnO2中之一者。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述用光线照射除沟道层以外的区域的过程是在真空环境、氢气环境、氮气环境或者是惰性气体环境下进行。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述光子能量小于氧化物半导体禁带宽度的光线为红外线或远红外线。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述光子能量小于氧化物半导体禁带宽度的光线为固体激光器或者气体激光器发出的激光。
6.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
在基板上形成一栅极；
在基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；
在栅绝缘层上形成一氧化物半导体层；
在该氧化物半导体层上形成一蚀刻阻挡层以覆盖氧化物半导体层的部分区域；
采用光子能量小于该氧化物半导体层禁带宽度的光线照射未被蚀刻阻挡层覆盖的区域以形成源极和漏极，未被所述光线照射的区域则作为沟道层；以及
在源极和漏极的表面分别形成源极电极和漏极电极。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体材料选自IGZO、ZnO、TiOx、GTO、GZO、AZO、IZO、ITO、ATO、In2O3及SnO2中之一者。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述用光线照射除沟道层以外的区域的过程是在真空环境、氢气环境，氮气环境或者是惰性气体环境下进行。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述光子能量小于氧化物半导体禁带宽度的光线为红外线或远红外线。
10.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，一蚀刻阻挡层形成在沟道层的与栅绝缘层相反的表面上，所述源极电极和漏极电极覆盖在蚀刻阻挡层的部分表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110296518.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
