[发明专利]晶圆后段制程控制方法

权利要求书

1.一种晶圆后段制程控制方法，其特征在于，包括：多道半导体晶圆制造工艺以及至少一道用以调整半导体晶圆制造工艺的控制工艺。

2.如权利要求1所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述控制工艺包括前馈控制及反馈控制。

3.如权利要求2所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述半导体晶圆制造工艺包括：化学气相沉积工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、物理气相沉积工艺及化学机械研磨工艺中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制包括第一前馈控制，用以调整所述刻蚀工艺，其中，所述第一前馈控制的反馈参数为所述化学气相沉积工艺的工艺结果。

5.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制还包括第二前馈控制，用以调整所述刻蚀工艺，其中，所述第二前馈控制的反馈参数为所述光刻工艺的工艺结果。

6.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述反馈控制包括第一反馈控制，用以调整所述刻蚀工艺，其中，所述第一反馈控制的反馈参数为所述刻蚀工艺的工艺结果。

7.如权利要求4至6中的任一项所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，调整所述刻蚀工艺包括：调整所述刻蚀工艺的工艺时间和/或调整所述刻蚀工艺的刻蚀气体流量。

8.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制还包括第三前馈控制，用以调整所述物理气相沉积工艺，其中，所述第三前馈控制的反馈参数为所述刻蚀工艺的工艺结果。

9.如权利要求8所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，调整所述物理气相沉积工艺包括：调整所述物理气相沉积工艺的工艺时间。

10.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制还包括第四前馈控制，用以调整所述化学机械研磨工艺，其中，所述第四前馈控制的反馈参数为所述刻蚀工艺的工艺结果。

11.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制还包括第五前馈控制，用以调整所述化学机械研磨工艺，其中，所述第五前馈控制的反馈参数为所述物理气相沉积工艺的工艺结果。

12.如权利要求10或11所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，调整所述化学机械研磨工艺包括：调整所述化学机械研磨工艺的工艺时间。