[发明专利]固态成像装置、其制造方法以及电子设备有效
| 申请号: | 201110295743.2 | 申请日: | 2011-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN102446932A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
| 发明(设计)人: | 堀越浩 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种制造固态成像装置的方法,该方法包括:
在基板的像素阵列区域中形成接收入射光的像素;
在该基板的位于该像素阵列区域周围的外围区域中形成焊盘电极;
在包括电连接到外部部件的连接表面的每个该焊盘电极的上表面上形成碳系无机膜;
形成覆盖该碳系无机膜的上表面的覆盖膜;以及
在每个该焊盘电极的该连接表面上方形成开口以暴露该连接表面,
其中该开口形成包括
在该覆盖膜的上表面上形成抗蚀剂图案,该抗蚀剂图案具有对应于该连接表面的开口并且覆盖该连接表面之外的部分,
采用该抗蚀剂图案作为掩模并且采用该碳系无机膜作为蚀刻停止膜蚀刻该覆盖膜,以暴露对应于该连接表面的该碳系无机膜的该上表面的部分,以及
对该抗蚀剂图案和该碳系无机膜中对应于该连接表面的部分执行灰化,以同时去除该抗蚀剂图案和该部分。
2.根据权利要求1所述的制造固态成像装置的方法,
其中,在该焊盘电极形成中,该焊盘电极由铝或铝合金形成,
在该碳系无机膜形成中,该碳系无机膜由石墨、石墨烯、碳纳米管和类金刚石碳(无定形碳)中的至少一种制成,并且
在该开口形成和蚀刻中,该蚀刻采用包含CF4、C2F6、C3F8、CHF3和SF6中的至少一种的氟系蚀刻气体执行。
3.根据权利要求2所述的制造固态成像装置的方法,
其中,该覆盖膜形成包括形成钝化膜作为该覆盖膜,使得该钝化膜覆盖该碳系无机膜的该上表面。
4.根据权利要求3所述的制造固态成像装置的方法,
其中,该覆盖膜形成包括形成平坦化膜作为该覆盖膜,使得该平坦化膜覆盖该钝化膜的上表面。
5.根据权利要求4所述的制造固态成像装置的方法,
其中,该覆盖膜形成包括在该平坦化膜的上表面上形成透镜材料膜作为覆盖膜,并且
该方法还包括在执行该开口形成之前在该像素阵列区域中将该透镜材料膜加工为芯片上透镜。
6.根据权利要求5所述的制造固态成像装置的方法,
其中,该覆盖膜形成包括在该透镜材料膜的上表面上形成抗反射膜作为该覆盖膜。
7.根据权利要求6所述的制造固态成像装置的方法,
其中,在该开口形成的该蚀刻中,通过监测在蚀刻该覆盖膜时产生的气体而探测该蚀刻的终点。
8.一种固态成像装置,包括:
基板,具有设置在像素阵列区域中的接收入射光的像素;
焊盘电极,形成在该基板的位于该像素阵列区域周围的外围区域中;
碳系无机膜,形成在每个该焊盘电极的除电连接到外部部件的连接表面之外的上表面上;以及
覆盖膜,覆盖该碳系无机膜的上表面并且具有形成在该焊盘电极的该连接表面上方的开口。
9.一种电子设备,包括:
基板,具有设置在像素阵列区域中的接收入射光的像素;
焊盘电极,形成在该基板的位于该像素阵列区域周围的外围区域中;
碳系无机膜,形成在每个该焊盘电极的除电连接到外部部件的连接表面之外的上表面上;以及
覆盖膜,覆盖该碳系无机膜的上表面并且具有形成在该焊盘电极的该连接表面上方的开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





