[发明专利]一种以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷及其制造方法

权利要求书

1.一种以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷，其特征在于按重量百分比含有以下组成：光伏硅切割固体废料40～100％、碳化硅0～60％、炭黑0～30％。

2.根据权利要求1所述的以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷，其特征在于按重量百分比含有以下组成：光伏硅切割固体废料70～90％、碳化硅10～30％；或含有以下组成：光伏硅切割固体废料90～95％、炭黑5～10％。

3.根据权利要求1所述的以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷，其特征在于按重量百分比含有以下组成：光伏硅切割固体废料40～90％、碳化硅5～50％、炭黑5～10％。

4.根据权利要求1所述的以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷，其特征在于：所述光伏硅切割固体废料按重量百分比含有碳化硅10～50％、硅粉40～88％、铁及其氧化物0.6～5％、氧化铝0.8～6％

5.根据权利要求1或2或3或4所述的以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷，其特征在于：含有粘结剂，所述粘结剂按重量百分比为所述组成总量的0.8～20％。

6.根据权利要求5所述的以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷，其特征在于：所述粘结剂为酚醛树脂。

7.权利要求1所述以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

a)将权利要求1所述组成混合进行配料；

b)将所述配料和水按重量比配料∶水＝3～1∶1置于球磨机中进行混料球磨；

c)造粒、压制成型并干燥而获得坯体；

d)在坩埚中使用炭黑填埋所述坯体，然后在1400～1600℃温度下保温10～60min获得碳化硅复合陶瓷。

8.根据权利要求7所述以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷的制造方法，其特征在于：所述步骤b)中加入粘结剂进行混料球磨，所述粘结剂按重量百分比为所述配料的0.8～20％。

9.根据权利要求7所述以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷的制造方法，其特征在于：所述步骤c)中成型压力为20～120Mpa，干燥温度为75～85℃，干燥时间为0.5～2h。

10.根据权利要求7所述以光伏硅切割废料制备的碳化硅复合陶瓷的制造方法，其特征在于：所述步骤d)中炭黑的粒度小于120目。