[发明专利]一种氦氖激光治疗装置及其制备方法

权利要求书

1.一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，包括平行放置的至少两个扁平氦氖激光管（1），每个所述扁平氦氖激光管（1）均连接有电源（4），在每个扁平氦氖激光管（1）的激光射出端对应设置有与射出激光呈45°夹角的平面反射镜（2），各个平面反射镜（2）与所对应的激光射出端的距离从上至下依次递增，使每个平面反射镜（2）不会遮挡住其上方的反射激光，各平面反射镜（2）反射的激光相互平行；

在由所有平面反射镜（2）组成的反射镜组下方设置有光纤耦合器（3），所述光纤耦合器（3）包括耦合器本体（31）、分别设置在所述耦合器本体（31）两端的透镜（32）和光纤定位插座（33）、插入所述光纤定位插座（33）的光纤插头（34），所述光纤插头（34）一端连接有光纤（35），平面反射镜（2）的反射激光射入透镜（32）并与透镜（32）所在平面垂直。

2.根据权利要求1所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述的扁平氦氖激光管（1）是内腔结构的，在其两端分别设置有左贴镜管（13）和右贴镜管（14），在所述左贴镜管（13）的端面和右贴镜管（14）的端面上分别设置有介质膜反射镜，两个介质膜反射镜分别为平面介质膜反射镜（11）和凹面球面介质膜反射镜（12）。

3.根据权利要求1所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述的平面反射镜（2）是反射中心波长为632.8纳米的平面介质膜反射镜。

4.根据权利要求1所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述的光纤耦合器（3）还包括调节架（36），耦合器本体（31）固定在所述调节架（36）上，所述光纤插头（34）可在光纤定位插座（33）内沿反射激光射入方向做位置调整。

5.根据权利要求1所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述的激光电源（4）包括主放电电路（41）、低压灯丝电路（42）、阳极输出端（A）、第一阴极输出端（K1）和第二阴极输出端（K2），所述主放电电路（41）和低压灯丝电路（42）分别与外接电源连接，所述阳极输出端（A）和第二阴极输出端（K2）分别与主放电电路（41）和低压灯丝电路（42）连接，所述第一阴极输出端（K1）同时与主放电电路（41）和低压灯丝电路（42）连接；

阳极输出端（A）、第一阴极输出端（K1）和第二阴极输出端（K2）分别与扁平氦氖激光管（1）上设置的阳极（16）连接和阴极灯丝（15）连接。

6.根据权利要求5所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述主放电电路（41）包括限流电阻（R1）、小电容倍压电路（412）、大电容倍压电路（411）和高压稳流电路（413），所述大电容倍压电路（411）与外接电源连接，限流电阻（R1）的一端与阳极输出端（A）连接，另一端通过小电容倍压电路（412）与大电容倍压电路（411）连接，大电容倍压电路（411）通过高压稳流电路（413）与第一阴极输出端（K1）连接；所述低压灯丝电路（42）为灯丝变压器或小功率开关电源。

7.根据权利要求6所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述高压稳流电路（413）由多个三极管放大单元和一个半导体三极管稳流单元串联而成，所述的三极管放大单元由高反压三极管D2和分压电阻R2组成，所述的半导体三极管稳流单元由高反压三极管D2、分压电阻R2、稳流电阻R3和基准稳压源W组成，半导体三极管稳流单元的一端与大电容倍压电路（411）连接。

8.根据权利要求6所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述小电容倍压电路（412）为多级半波倍压整流电路，大电容倍压电路（411）为多级全波倍压整流电路。

9.根据权利要求8所述的一种氦氖激光治疗装置，其特征在于，所述小电容倍压电路（412）中的小电容C2为0.1~0.5μF，所述大电容倍压电路（411）中的大电容C1为100~1000μF。