[发明专利]一种无PEDOT的聚合物太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、阳极修饰层和光电活性层，光电活性层上设置低功函阴极层或者光电活性层上层叠阴极修饰层后再设置低功函阴极层，其特征在于：所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钒膜。

2.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：二(乙酰丙酮)氧化钒膜的厚度为

3.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述衬底选用玻璃或聚酯薄膜；

透明导电金属氧化物电极层为In、Sn、Zn、Cd的氧化物或其复合多元氧化物；

光电活性层为电子给体和电子受体共混膜；

所述阴极修饰层为碱金属的氟化物、碱土金属的氟化物、Ti或Zn的氧化物或其复合多元氧化物；

所述低功函阴极层为Ca、Mg、Cs、Al或其复合电极。

4.根据权利要求3所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述光电活性层中，所述的电子给体材料选自：聚(对亚苯基亚乙烯)类、聚(亚芳基亚乙烯基)类、聚(对亚苯基)类、聚(亚芳基)类、聚噻吩类、聚喹啉类、卟啉类、酞菁类或者选自由吸电子共轭单元与给电子共轭单元偶联组成的共聚物，电子受体材料选自：富勒烯或其衍生物、苝或其衍生物、萘或其衍生物、醌类或者选自III-V族和II-VI族半导体纳米晶。

5.根据权利要求4所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述吸电子共轭单元为吡咯并吡咯二酮、苯并噻二唑或者噻吩并吡咯二酮，所述给电子共轭单元为咔唑、芴、苯并二噻吩或者二噻吩并苯。

6.权利要求1至5任意一个权利要求所述的聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)在衬底上制备透明导电金属氧化物电极层，作为聚合物太阳能电池的阳极；

(2)二(乙酰丙酮)氧化钒与溶剂混合形成混合溶液，在透明导电阳极上旋涂上述混合溶液，经烘烤，得到作为阳极修饰层的二(乙酰丙酮)氧化钒膜；

(3)在阳极修饰层上依次制备光电活性层和低功函阴极层，或者在阳极修饰层上依次制备光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层，得到所述聚合物太阳能电池。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：在制备过程中，主要利用旋涂的转速来控制二(乙酰丙酮)氧化钒膜的厚度，转速为1000-5000rpm。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，混合溶液中二(乙酰丙酮)氧化钒的浓度为2-10mg/mL，烘烤的温度为20-250℃，时间为1分钟到48小时。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述溶剂为异丙醇、异辛醇、乙醇、乙酸乙酯或石油醚中的的任意一种或几种。

10.二(乙酰丙酮)氧化钒作为阳极修饰材料在聚合物太阳能电池中的应用。