[发明专利]一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法

权利要求书

1.一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：于绝缘介质基底上依次淀积下阻挡层、铝金属层、上阻挡层和第一介质抗反射层后，淀积第一底部抗反射层覆盖第一介质抗反射层并于其上旋涂光刻胶，曝光不合格；

步骤S2：灰化、清洗去除光刻胶及第一底部抗反射层，使得第一介质抗反射层性能发生改变，形成变性介质抗反射层；

步骤S3：采用高选择比刻蚀去除变性介质抗反射层，且不影响上阻挡层；

步骤S4：淀积第二介质抗反射层覆盖上阻挡层，并于其上进行光刻工艺。

2.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，步骤S3中采用高选择比刻蚀工艺为湿法化学刻蚀工艺或等离子干法刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，刻蚀的同时，通过调节反应气体、功率、压力和终点检测实现高选择比去除变性介质抗反射层。

4.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，步骤S4中采用和制备第一介质抗反射层相同的材质和流程淀积第二介质抗反射层覆盖上阻挡层，第二介质抗反射层的性质和第一介质抗反射层的性质相同。

5.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，绝缘介质基底的材质为氧化硅、氟氧化硅、硼磷掺杂的氧化硅和低介电常数介质材料。

6.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，铝金属层的材质为铝或掺杂5~10%原子百分比铜的铝铜合金。

7.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，上、下阻挡层的材质为钛/氮化钛。

8.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，第一、二介质抗反射层的材质为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳掺杂氮化硅。

9.根据权利要求1、4或8所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，采用化学气相沉积、炉管生长或原子层沉积工艺制备第一、二介质抗反射层。

10.根据权利要求1所述的提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，上、下阻挡层与第一、二介质抗反射层的材质为匹配的高选择比刻蚀材料。