[发明专利]镀膜件及其制造方法

权利要求书

1.一种镀膜件，包括基体、形成于基体上的铜层及镍层，其特征在于：该镀膜件还包括形成于所述镍层上的真空镀膜层，所述真空镀膜层的材料选自铝、钛、铬及锌中的至少一种。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述真空镀膜层厚度为3~4μm。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述铜层通过电镀的方式形成，其厚度为6~9μm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镍层通过电镀的方式形成。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镍层的厚度为30~50μm。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镍层主要由粒径为10nm~100nm的纳米颗粒组成。

7.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镀膜件还包括形成于所述基体与所述铜层之间的化学镀层，该化学镀层为化学镀铜层或化学镀镍层。

8.一种镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：

提供基体；

采用电镀的方式，于所述基体上形成铜层；

采用电镀的方式，于所述铜层上形成镍层；

采用真空镀膜法，以铝、钛、铬及锌中的任一种为靶材，在该镍层上形成真空镀膜层，所述真空镀膜层的材料选自铝、钛、铬及锌中的至少一种。

9.如权利要求8所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：形成该铜层的工艺参数为：用以形成该铜层的电镀液中主要含有五水硫酸铜、硫酸、氯离子及整平剂；其中，五水硫酸铜的浓度为60~90g/L,硫酸的浓度为180~220g/L，氯离子的浓度为0.05~1.5ml/L的，整平剂的浓度为3~8ml/L；电流密度为0.4~1.5A/dm²，所述电镀液的温度为20~40℃，电镀时间为10~15min。

10.如权利要求8所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：形成所述镍层的工艺参数为：用以形成该镍层的电镀液中主要含有硫酸镍、氯化镍及硼酸；其中，硫酸镍的浓度为260~300g/L，氯化镍的浓度为40~50g/L，硼酸的浓度为40~50g/L；电镀液的温度为10~50℃，电流密度为0.2~4A/dm²。

11.如权利要求8所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：形成所述铜层的方法为：采用磁控溅射镀膜法，设置靶材的功率为12~15kW，以氩气为工作气体，氩气的流量为150~200sccm，施加于基体的偏压为-100~-150V，镀膜温度为25~55℃，镀膜时间为60~120min。