[发明专利]减小了叠加失准的直接接合方法

权利要求书

1.一种用于将在接合之前具有本征曲率(K1)的第一晶圆(100)直接接合至在接合之前具有本征曲率(K2)的第二晶圆(200)的方法，这两个晶圆中的至少一个(100)包括至少一系列的微组件(110)，所述方法包括使两个晶圆(100、200)彼此接触以在这两个晶圆之间开始传播接合波的至少一个步骤，

所述方法的特征在于，在接触步骤期间，将旋转抛物面形式的预定接合曲率(KB)施加在这两个晶圆中的一个上，另一个晶圆自由地顺应于所述预定接合曲率(KB)，其中，所述预定接合曲率至少取决于包括一系列微组件(110)的晶圆(100)的接合之前的本征曲率(K1)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述两个晶圆(100、200)接合起来之前，所述方法包括以下步骤：

-测量接合之前各个晶圆(100；200)的曲率(K1；K2)；以及

-计算所述预定接合曲率(KB)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，只有所述第一晶圆包括至少一系列的微组件，并且根据以下等式来计算所述旋转抛物面形式的预定接合曲率：

KB＝K1-((K2-K1)/6)

其中，KB是所述旋转抛物面形式的预定接合曲率，K1是接合之前所述第一晶圆的本征曲率，K2是接合之前所述第二晶圆的本征曲率。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述两个晶圆都包括至少一系列的微组件，并且根据以下等式来计算所述旋转抛物面形式的预定接合曲率：

KB＝(K1+K2)/2

其中，KB是所述旋转抛物面形式的预定接合曲率，K1是接合之前所述第一晶圆的本征曲率，K2是接合之前所述第二晶圆的本征曲率。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述两个晶圆(100、200)是直径为300mm的圆形的硅晶圆。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

-分别由第一保持器(310)和第二保持器(320)保持彼此面对的所述第一晶圆(100)和所述第二晶圆(200)，所述第一保持器在所述第一晶圆上施加所述旋转抛物面形式的预定接合曲率；

-使所述两个晶圆(100、200)彼此相互接触，以在所述两个晶圆之间开始传播接合波；以及

-在所述第二晶圆(200)与所述第一晶圆(100)接触之前或者接触期间，从所述第二保持器(320)释放所述第二晶圆(200)，使得所述第二晶圆在接合波传播期间顺应于施加在所述第一晶圆上的所述旋转抛物面形式的预定接合曲率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过致动安装在所述第一保持器上的缸体(312)将所述旋转抛物面形式的预定接合曲率(KB)施加在所述第一晶圆(100)上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过插入在所述第一晶圆(100)与所述第一保持器(310)之间的膜将所述旋转抛物面形式的预定接合曲率施加在所述第一晶圆(100)上，所述膜具有与所述旋转抛物面形式的预定接合曲率相对应的旋转抛物面形式的曲率。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过所述第一保持器(310)将所述预定接合曲率施加在所述第一晶圆(100)上，所述第一保持器具有与所述旋转抛物面形式的预定接合曲率相对应的曲率。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述两个晶圆(100、200)在其各自的接合面上都包括微组件(110、210)，其中一个晶圆(100)的至少一些微组件(110)要与另一个晶圆(200)的至少一些微组件(210)对准。