[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201110273455.7 | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102420239A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 柳道亨;高春锡;金相洙 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
优先权要求
本申请参考早先于2010年9月24日递交韩国知识产权局并因而被正式分配序列号No.10-2010-0092856的申请,将其合并于此,并要求其优先权和所有权益。
技术领域
本发明的一个实施例涉及有机发光显示设备,更具体地,涉及在电源线与控制信号线之间具有改善的布局的有机发光显示设备。
背景技术
一般而言,有机发光显示设备包括薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)。OLED从TFT接收足够的驱动信号,发光,然后实现期望的图像。
发明内容
本发明的实施例提供一种具有改善的结构的有机发光显示设备,在该结构中,电源线与控制信号线之间的重叠区域被减小,从而降低了电容负载。
根据本发明的一方面,一种有机发光显示设备可以包括:薄膜晶体管(TFT),包括栅电极、源电极和漏电极,并且第一基板包括用于驱动所述TFT的嵌入电路;面对所述第一基板的第二基板;有机发光二极管(OLED),包括电连接至所述源电极和漏电极之一的第一电极、面向所述第一电极的第二电极以及介于所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;电源线,经由所述电源线向所述TFT的源电极和漏电极以及所述OLED的第二电极施加电压;以及控制信号线,用于向所述嵌入电路提供控制信号,以便控制用于向所述栅电极供应电流的时序。所述控制信号线可以在所述第一基板的相对于所述电源线的位置的外部展开。
所述电源线可以包括连接至所述TFT的源电极和漏电极的第一电源线以及连接至所述OLED的第二电极的第二电源线。
所述第一电源线可以包括:第一电源输入单元,设置在所述第二基板的顶面上,所述第二基板的顶面并不面对所述第一基板;第一穿透单元,连接至所述第一电源输入单元,并且透过所述第二基板;第一短路单元,连接至所述第一穿透单元,并且介于所述第一基板与所述第二基板之间;以及第一连接单元,布置在所述第一基板上,以便连接所述第一短路单元以及所述TFT的源电极和漏电极。
所述有机发光显示设备可以进一步包括围绕所述OLED并设置在所述第一基板与所述第二基板之间的第一密封单元以及围绕所述第一密封单元的第二密封单元,其中所述第一短路单元设置在所述第一密封单元与所述第二密封单元之间。
所述第二电源线可以包括:第二电源输入单元,设置在所述第二基板的顶面上,所述第二基板的顶面并不面对所述第一基板;第二穿透单元,连接至所述第二电源输入单元,并且透过所述第二基板;第二短路单元,连接至所述第二穿透单元,并且介于所述第一基板与所述第二基板之间;以及第二连接单元,布置在所述第一基板上,以便连接所述第二短路单元和所述第二电极。
所述有机发光显示设备可以进一步包括在所述第一基板与所述第二基板之间围绕所述OLED的第一密封单元以及围绕所述第一密封单元的第二密封单元,其中所述第二短路单元设置在所述第一密封单元与所述第二密封单元之间。
所述第二电源线可以进一步包括从所述第二穿透单元延伸以覆盖所述第二基板的表面的封装单元,其中所述第二基板的表面面对所述第一基板。
所述第二基板可以包括碳板。
所述有机发光显示设备可以进一步包括用于经由所述控制信号线向所述嵌入电路传输所述控制信号的驱动电路单元,以及用于连接所述驱动电路单元和所述控制信号线的连接焊盘,其中所述连接焊盘设置在所述第一基板上所述电源线的外部。
所述驱动电路单元可以通过具有介于所述驱动电路单元与所述连接焊盘之间的各向异性导电膜(AFC)而电连接至所述连接焊盘。
附图说明
由于通过参考以下结合附图考虑时的详细描述,本发明变得更好理解,因此本发明的更完整理解以及伴随本发明的诸多优点会变得更容易明显,在附图中相同的附图标记指代相同或相似的部件,附图中:
图1是被构建为本发明实施例的有机发光显示设备的截面图;
图2示出包括在图1的有机发光显示设备中的薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)的截面图;
图3是图1的部分A的放大截面图;
图4是图1的部分B的放大截面图;以及
图5是被构建为本发明另一实施例的有机发光显示设备的截面图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的