[发明专利]一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极无效
申请号: | 201110272602.9 | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN103000382A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 尹桂林;姜来新;宋佳;李文英;何丹农 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44 |
代理公司: | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人: | 唐莉莎 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 燃料 太阳能电池 透明 电极 | ||
所属领域
本发明属于太阳能电池用透明电极及其制造方法,更具体设计改进的染料敏化太阳能电池用透明电极及其制造方法。
背景技术
导电透明电极广泛应用于各种技术领域,特别是包括太阳能电池、平板显示、有机发光二极管(OLEDs)等技术领域。目前用于染料敏化太阳能电池的导电透明电极主要有ITO、FTO、AZO等,特别是FTO。
染料敏化太阳能电池制备工艺简单,加工成本低,具有很好透光性,可以在各种光照条件下使用,并可在柔性基板上制作,以上特点使得其具有很好的应用前景。染料敏化太阳能电池,是由染料吸收太阳光,产生光电子,通过TiO2的纳米薄膜的传输被导电透明电极收集。由于电解质的渗透作用,使其与ITO或FTO透明电极接触,导致透明电极的电子被电解质中的I3-俘获,发生电荷的复合,降低了光电转换效率。国内外研究者为了减小透明电极与电解质之间的电荷复合,进行了大量的研究。研究表明,由于ZnO具有比Ti02更负的导带能级,因此在透明电极基底上增加一层ZnO的薄膜能够避免透明电极与电解质的接触,有效降低在电极界面处发生的电荷复合,提升电池的性能。专利“染料敏化太阳能电池ZnO复合电极及其制备方法”(申请号:201010128283.X),在常用透明电极基底上利用旋涂法制备一层20~400nm的ZnO薄膜,有效降低在电极界面处发生的电荷复合。但是,这种方法,制备的薄膜均匀性难以控制,重复性较差,薄膜致密性一般,并且ZnO薄膜厚度太大将严重影响电极的导电性和透光率,因此难以满足透明电极的性能要求和大规模高精度制造的需求。
发明内容
本发明针对上述情况,提出一种对导电透明电极进行改进的新方法,具体是利用原子层沉积技术(ALD)在导电透明电极表面沉积一层致密纳米ZnO薄膜,形成复合电极。ALD方法的薄膜生长通过一原子层接一原子层的方式形成,因而在薄膜的均匀性、致密性以及厚度控制等方面都具有明显的优势,反应温度也相对较低,适合于大规模高精度制造。同时,由于ALD形成的薄膜,结构非常致密,因此所需厚度可以大大降低,可有效降低ZnO薄膜厚度给透明电极的导电性和透光率带来的影响。
根据上述构思,本发明提供一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。
其特征在于所述氧化锌米薄膜的沉积方法为原子层沉积方法;
所述的氧化锌纳米薄膜厚度为5~50nm;
本发明一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
A.将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽至5hPa~15hPa,将反应室温度加热至100℃~300℃;
B.向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的残余气体,持续时间为3秒;
C.向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;
D.根据厚度要求,循环步骤B、C,反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。
本发明制备工艺简单,沉积的ZnO纳米薄膜,结构致密,沉积厚度均一且可以精确控制,沉积后的电极无需进行热处理,可用于染料敏化太阳能电池,在上述制得的复合导电透明电极上制备纳米TiO2薄膜,可得染料敏化太阳能电池FTO(ITO或AZO)/ZnO/TiO2复合电极。
具体实施方式
下面将参照上述步骤,通过优选实施例更加充分描述本发明的实质性特点,但本发明不仅限于实施例。
实施例1:在ITO玻璃基板上沉积ZnO纳米薄膜:
A.将ITO导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽至5hPa~15hPa,将反应室温度加热至100℃~300℃,优选150℃~250℃;
B.向沉积室中引入二乙基锌Zn(CH2CH3)2后,持续时间为1秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的残余气体,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层ZnO;沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;
C.重复上述步骤25次,得到厚度约5nm的ZnO薄膜。
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