[发明专利]NMOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201110270175.0 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103000522A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种NMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括栅介质层和伪栅极层的栅堆叠，所述伪栅极层包括至少两层不同材料；
在栅堆叠两侧的半导体衬底中掺杂N型离子，形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；
在栅堆叠侧壁上形成侧墙；
在源极区、漏极区选择性外延SiC层；
在栅堆叠两侧的半导体衬底中掺杂N型离子，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；
移除所述伪栅极层。
2.根据权利要求1所述NMOS晶体管的制造方法，其特征在于：在形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区后，还包括在半导体衬底上沉积层间介质层并通过化学机械抛光暴露出所述伪栅极层表面。
3.根据权利要求1所述NMOS晶体管的制造方法，其特征在于：在移除所述伪栅极层后，还包括在栅介质层上形成金属连接层。
4.根据权利要求1所述NMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述伪栅极层包括单层的单晶硅或多晶硅和至少一层SiC，所述单层的单晶硅或多晶硅的厚度为5nm-30nm，所述至少一层SiC的厚度为10nm-90nm，所述至少一层SiC中C的含量为0.1％-10％。
5.根据权利要求4所述NMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述伪栅极层包括多层SiC，且各层SiC中的C含量为相同值或呈梯度值。
6.根据权利要求1所述NMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述选择性外延SiC层的工艺条件包括：温度为500℃-1000℃，压强为1T-500T。
7.根据权利要求1所述NMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述选择性外延SiC层的工艺气体为SiH4或DCS(SiH2Cl2)、CH4、CH3Cl、CH2Cl2、HCl和H2；其中SiH4或DCS(SiH2Cl2)、CH4、CH3Cl、CH2Cl2、HCl的流量均为1sccm-1000sccm，H2的流量为0.1slm-50slm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
