[发明专利]一种刻录方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地说，涉及一种半导体器件的刻录方法。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，半导体器件越来越精密，使得人们对工艺误差的控制难度加大。刻录制程是半导体器件制造的一个重要环节，在刻录制程中如何获得更好的关健尺寸变得越来越重要。现有技术中刻录图形的方法是：首先在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，且刻录胶厚度均匀；然后进行显影步骤，如果采用的是正刻录胶，则曝光区的刻录胶被移除掉；然后进行蚀刻步骤，在被蚀刻层上蚀刻出需要的电路图形；最后将剩于的刻录胶移除。采用现有方法显影步骤后检视发现，图形关健尺寸均匀度较好。但是，经过蚀刻步骤后检视发现，图形关键尺寸均匀度较差，晶圆中心部分的图形关键尺寸比边缘部分的图形关键尺寸变化小。采用现有的方法，使得蚀刻图形与所需要的电路图形相差较多，且由于在晶圆不同位置，图形失真情况也不一样，采用传统方法如光学趋近校正及曝光机趋近校正由于其本身的局限也无法使蚀刻图形达到要求。有鉴于此，需要提供一种新的刻录方法以改善上述情况。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供一种刻录方法，该方法包括如下步骤：

S1、在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加；

S2、刻胶完成后，进行曝光；

S3、曝光完成后，进行显影；

S4、显影完成后，进行蚀刻；

S5、蚀刻完成后，移除剩余的刻录胶。

实施本发明的刻录方法，具有以下有益效果：通过在晶圆的被腐蚀层表面镀刻录胶时将胶的分布厚度进行控制来获得均匀度较好的电路图形，让晶圆各个位置图形的失真情况一致，方便采用传统方法进行校正，从而控制性刻图形的一致性。

附图说明

图1是本发明刻录方法的流程图。

具体实施方式

现有技术中刻录图形的方法是：首先在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，且刻录胶厚度均匀；然后进行显影步骤，如果采用的是正刻录胶，则曝光区的刻录胶被移除掉；然后进行蚀刻步骤，在被蚀刻层上蚀刻出需要的电路图形；最后将剩于的刻录胶移除。采用现有方法显影步骤后检视发现，图形关健尺寸均匀度较好。但是，经过蚀刻步骤后检视发现，图形关键尺寸均匀度较差，晶圆中心部分的图形关键尺寸比边缘部分的图形关键尺寸变化小。采用现有的方法，使得蚀刻图形与所需要的电路图形相差较多，且由于在晶圆不同位置，图形失真情况也不一样，即使进行调整，也不能达到很好的效果，因此需要一种更好的刻录方法来代替。

图1是本发明刻录方法的流程图。如图所示，该方法包括如下步骤：

S1、在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加；

S2、刻胶完成后，进行曝光；

S3、曝光完成后，进行显影；

S4、显影完成后，进行蚀刻；

S5、蚀刻完成后，移除剩余的刻录胶。

实施本发明的电子付费方法，具有以下有益效果：获得均匀度较好的电路图形，且晶圆各个位置图形的失真情况一致，方便采用传统方法进行校正，进一步控制性刻图形的一致性。

本发明是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本发明的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本发明的精神和范围。因此，本发明不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本发明的保护范围。