[发明专利]有机发光二极管装置有效
申请号: | 201110267929.7 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102810647A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 朴美花;金怠植 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 装置 | ||
1.一种有机发光二极管装置,包括:
第一电极;
面向所述第一电极的第二电极;
插入所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;和
插入所述第一电极和所述第二电极之一与所述发光层之间的辅助层,
其中,所述辅助层包括取代或未取代的含至少一个附加苯基的芘类化合物。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其中,所述芘类化合物包括由以下化学通式1表示的化合物:
[化学通式1]
其中,在化学通式1中,
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立地为氢、取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C2至C20烯基、取代或未取代的C2至C20炔基、取代或未取代的C1至C20烷氧基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C3至C30环烯基、取代或未取代的C3至C30环炔基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C6至C30芳胺基、取代或未取代的C1至C30杂环烷基、取代或未取代的C1至C30杂环烯基、取代或未取代的C1至C30杂环炔基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的硅烷基、硼原子、胺基、腈基、硝基、卤素、酰胺基、酯基、磺酰基、亚砜基、磺酰胺基、磺酸酯基或三氟甲基,或前述基团中的一种或多种可选地与相邻的基团形成稠环基,且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10中的至少一种为苯基。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管装置,其中,化学通式1中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10中的至少一种为苯基;且至少一种为苯并呋喃基、氧芴基、咔唑基、萘基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、二氮杂菲基、吖啶基、咪唑基、三唑基、联吡啶基或苯并噁唑基。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其中,所述辅助层进一步包括无机化合物或金属。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管装置,其中,所述无机化合物包括由以下化学式2表示的Liq化合物、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、FrCl、Li2O、Li2O2、Na2O、K2O、RbO、Rb2O2、Cs2O、Cs2O2、LiAlO2、LiBO2、LiTaO3、LiNbO3、LiWO4、Li2CO、NaWO4、K2SiO3、BO、Al2O3、SiO2或它们的组合,且
所述金属包括Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Sm、Gd、Er、Yb、Al-Li合金、Mg-Sr合金、In-Li合金或它们的组合,其中化学式2具有以下结构:
[化学式2]
6.如权利要求4所述的有机发光二极管装置,其中,所述取代或未取代的含至少一个苯基的芘类化合物与所述无机化合物或金属以1∶100至100∶1的重量比混合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择