[发明专利]单晶硅片太阳能电池制造方法及其刻蚀方法

权利要求书

1.一种适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包含：利用一碱性刻蚀液，刻蚀一单晶硅片的至少一表面，以使所述单晶硅片的所述至少一表面制绒化，其中所述碱性刻蚀液包含：

一碱性化合物，其包含选自氢氧化钠及氢氧化钾所组成群组的至少一种化合物；

一醇类化合物；及

一用以释放贵金属离子的化合物，且所述贵金属离子包含选自银离子、金离子、铂离子及钯离子所组成群组的至少一种离子。

2.如权利要求1所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述醇类化合物包含选自异丙醇、乙醇、及丙醇所组成群组的至少一种化合物。

3.如权利要求1所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，用以释放贵金属离子的所述化合物为一银化合物。

4.如权利要求3所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述银化合物为银的盐类或银的有机酸盐类其中一种。

5.如权利要求3所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述用以释放银离子的银化合物包含选自AgClO₃、AgC₂H₃O₂、AgMnO₄及Ag₂8O₄所组成群组的至少一种银化合物，且其添加量为30ppm～5000ppm。

6.如权利要求3所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述银化合物包含选自AgNO₃及AgClO₄所组成群组的至少一种银化合物。

7.如权利要求6所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述银化合物的添加量为1ppm～100ppm。

8.如权利要求6所述的适用于单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，其特征在于，所述碱性化合物为氢氧化钠或氢氧化钾，且所述氢氧化钠或氢氧化钾的添加量为1～4wt％，所述醇类化合物为异丙醇，且所述异丙醇的添加量为2～6volume％，所述银化合物的添加量为1ppm～100ppm。

9.一种单晶硅片太阳能电池制造方法，其特征在于，所述单晶硅片太阳能电池制造方法包含：

利用一碱性刻蚀液，刻蚀具有第一型的一单晶硅片的至少一表面，以使所述单晶硅片的所述至少一表面制绒化，其中所述碱性刻蚀液包含：一碱性化合物，包含选自氢氧化钠及氢氧化钾所组成群组的至少一种化合物；一醇类化合物；一用以释放贵金属离子的化合物，且所述贵金属离子包含选自银离子、金离子、铂离子及钯离子所组成群组的至少一种离子；

将具有第二型的多数的杂质，掺杂于所述单晶硅片内，以形成一第一型区域、一第二型区域、以及位于所述第一型区域及所述第二型区域间的一第一型与第二型界面；

使所述单晶硅片的所述第一型区域及所述第二型区域的一边缘呈无电性短路状态；

对所述单晶硅片的所述至少一表面进行刻蚀，以去除所述至少一表面上的一玻璃结构；

形成一抗反射层于所述单晶硅片上；

形成一电极结构于所述单晶硅片上，藉以使所述第一型区域及所述第二型区域，透过所述电极结构及一负载，形成一电流回路。

10.如权利要求9所述的单晶硅片太阳能电池制造方法，其特征在于，所述用以释放贵金属离子的化合物为一银化合物。

11.如权利要求10所述的单晶硅片太阳能电池制造方法，其特征在于，所述用以释放银离子的银化合物包含选自AgClO₃、AgC₂H₃O₂、AgMnO₄及Ag₂SO₄所组成群组的至少一种银化合物，且其添加量为30ppm～5000ppm。

12.如权利要求10所述的单晶硅片太阳能电池制造方法，其特征在于，所述用以释放银离子的银化合物包含选自AgNO₃及AgClO₄所组成群组的至少一种银化合物。