[发明专利]带金属敏感夹层的器件深槽刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110266111.3 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102344113A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 杨海波;马清杰;吕宇强 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 敏感 夹层 器件 刻蚀 方法 | ||
1.一种带金属敏感夹层的器件深槽刻蚀方法，包括步骤：
提供硅衬底(001)，其上形成有缓冲层(002)；
在所述缓冲层(002)上淀积金属敏感层(003)；
利用光刻及金属干法刻蚀工艺将所述金属敏感层(003)图形化，直至露出所述缓冲层(002)，形成金属线间低台阶(004)、金属管脚焊垫区域(005)和金属反应线(006)；
在所述缓冲层(002)和图形化的所述金属敏感层(003)表面淀积钝化层(007)；
在所述钝化层(007)表面形成用于深槽刻蚀的光刻胶掩模并作图形化，所述光刻胶掩模的图形与其下所述金属线间低台阶(004)的位置相对应；
以所述光刻胶为掩模，依次刻蚀所述钝化层(007)和所述缓冲层(002)，直至露出所述硅衬底(001)，形成深槽(008)；
对所述深槽(008)底部的所述硅衬底(001)进行深槽刻蚀，在所述硅衬底(001)中形成体硅深槽(009)。
2.根据权利要求1所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述硅衬底(001)为普通单晶硅衬底。
3.根据权利要求1所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述缓冲层(002)为氧化硅。
4.根据权利要求1所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述缓冲层(002)通过在高温下在所述硅衬底(001)表面生长一层热氧化层而形成。
5.根据权利要求4所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述热氧化层的厚度为
6.根据权利要求5所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述高温为1000℃。
7.根据权利要求1所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述金属敏感层(003)的厚度为
8.根据权利要求7所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述金属敏感层(003)为敏感金属单质、金属氧化物或者氮化物。
9.根据权利要求8所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述敏感金属单质包括铝、铜、铂、金。
10.根据权利要求1所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述钝化层(007)是通过后道PECVD方法淀积的。
11.根据权利要求10所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述钝化层(007)的厚度为4μm。
12.根据权利要求1所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述深槽刻蚀的方法为深反应离子刻蚀法。
13.根据权利要求12所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述体硅深槽(009)的深度为5～100μm。
14.根据权利要求13所述的器件深槽刻蚀方法，其特征在于，所述体硅深槽(009)的深度为10～30μm。
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