[发明专利]一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅刻蚀方法

权利要求书

1.一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅刻蚀方法，包括：衬底上覆盖有氧埋层，并在氧埋层上设有漏极和源极，以及漏极与源极之间形成的器件沟道，在所述器件沟道、漏极和源极的上表面铺设有多晶硅，所述多晶硅的上表面覆盖有光刻胶，其特征在于，工艺方法：

  步骤一，对光刻胶的进行曝光、显影，形成只覆盖器件栅极的多晶硅栅的光刻胶；

  步骤二，对未被光刻胶所覆盖的多晶硅进行刻蚀，并且使被刻蚀的多晶硅变薄形成一层残留多晶硅层；

  步骤三，对所述光刻胶进行消减工艺，使进行过消减工艺的光刻胶的面积小于多晶硅栅的面积；

步骤四，在经过所述光刻胶的消减工艺之后，再次对多晶硅进行刻蚀，使未被光刻胶所覆盖的多晶硅栅在刻蚀下逐渐被移除，直至步骤二中所形成的残留多晶硅层被完全移除后停止刻蚀，并形成剩余未被光刻胶覆盖的多晶硅栅部分厚度薄于被光刻胶所覆盖的多晶硅栅厚度；

  步骤五，在以上步骤之后进行轻掺杂注入、退火、侧墙形成、源极与漏极的重掺杂注入、退火、硅化物形成，以及互联工艺。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤二中对未被光刻胶所覆盖的多晶硅进行刻蚀，所刻蚀的深度是由时间控制的。

3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤四中，剩余未被光刻胶覆盖的多晶硅栅部分厚度与被光刻胶所覆盖的多晶硅栅厚度之间的厚度差为步骤二形成的残留多晶硅层厚度。

4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于所述步骤五中所形成的侧墙覆盖于多晶硅侧壁以及邻近多晶硅的部分衬底。