[发明专利]充电装置

说明书

技术领域

本发明涉及防止二次电池的过充电的充电装置。

背景技术

在对通过进行充电从而能够作为电池重复使用的所谓的二次电池(也称为蓄电池、充电式电池)进行充电的情况下，以往采用了用于防止二次电池的破坏或损伤的过充电对策。例如，在专利文献1中，公开了如下装置：在电池(二次电池)的端子间电压成为预定值以上时，使与太阳电池并联连接的N沟道型的功率MOSFET导通，将从太阳电池向电池的充电电流切断，由此，防止电池的过充电。

[专利文献1]：日本特开平9-261861号公报。

但是，近年来，也存在如下情况：二次电池的种类增加，在一个系统中使用电池电压（cell voltage）彼此不同的多个二次电池。在这样的系统中，根据应用的类别或系统的动作状况而适当切换二次电池进行使用，所以，需要能够与二次电池的各自的电池电压对应的充电装置。当要构成能够与多个电池电压对应的电路时，电路面积的增加或功耗的增加成为问题。例如，在构成能够与较高的电池电压对应的电路的情况下，增大降压电路的降压值即可，但是，为了以小电流增大降压值，需要增大构成降压电路的晶体管的栅极长度，所以，电路面积变大。另外，为了在不增大晶体管的栅极长度的情况下增大降压值，需要增大电流值，所以，功耗增加。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种在不使电路面积或功耗增加的情况下能够与多个电池电压对应地防止过充电的充电装置。

本发明提供一种将所输入的充电电流经由逆流防止部向二次电池供给的充电装置，其特征在于，包括：比较检测部，根据与二次电池的能够充电的电压对应地决定的选择信号，选择至少两个判定电位之中的一个，对该选择的判定电位和基于所述逆流防止部的下游的电位的比较电位进行比较，对满充电状态进行检测；切断部，在所述比较检测部检测到满充电状态时，切断向所述逆流防止部的所述充电电流的供给。

根据本发明的充电装置，在不使电路面积或功耗增加的情况下就能够与多个电池电压对应地防止过充电。

附图说明

图1是将第一实施例的充电装置的结构与太阳电池以及二次电池一起示出的框图。

图2是示出将包括充电装置的半导体芯片、太阳电池以及二次电池搭载在印刷基板的系统结构的框图。

图3是示出第一实施例的变形例的充电装置的结构的框图。

图4是示出将图3的充电装置中的VDD以及VDD2电压与比较输出电压的时序图(time chart)。

图5是将第二实施例的充电装置的结构与太阳电池以及二次电池一起示出的框图。

附图标记说明：

1 充电装置

2 太阳电池

3 二次电池

4 二次电池

10 逆流防止部

20 降压部

30 放电部(切断部)

40 比较部(比较检测部)

79 切换部

100 半导体芯片

200 印刷基板。

具体实施方式

以下，参照附图详细地对本发明的实施例进行说明。

<第一实施例>

图1是将本实施例的充电装置1的结构与太阳电池2以及二次电池3一起示出的框图。充电装置1是防止从作为充电电流供给源的太阳电池2输入到输入端子81的充电电流的逆流并且向与输出端子82连接的二次电池3提供该充电电流的充电装置，是还具有防止二次电池3的过充电的功能的充电装置。充电装置1包括逆流防止部10、降压部20、放电部30以及比较部40。

逆流防止部10是防止从二次电池3向太阳电池2的电流的逆流的电路。以下，将逆流防止部10的太阳电池2的一侧称为上游，将逆流防止部10的二次电池3的一侧称为下游。

降压部20是如下电路：从二次电池3的端子电位VBAT下降例如1V等的预定电位，生成降压电位pos，并将其供给到比较部40。以比较部40能够进行正常的比较处理的方式，将低于比较部40的动作电位的电位(降压电位pos)供给到比较部40。以下，也将降压电位pos称为比较电位pos。

降压部20由PMOS晶体管21、电阻22以及恒流源23构成。PMOS晶体管21的源极与二次电池3连接，漏极与电阻22的一端连接，栅极与漏极连接。电阻22的一端与恒流源23连接，另一端与PMOS晶体管21的漏极连接。电阻22的该一端的电位作为降压电位pos被供给到比较部40。