[发明专利]充电装置有效

专利信息
申请号: 201110263434.7 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102403755A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 宇都野纪久生 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 充电 装置
【权利要求书】:

1.一种充电装置,将所输入的充电电流经由逆流防止部向二次电池供给,其特征在于,包括:

比较检测部,根据与二次电池的能够充电的电压对应地决定的选择信号,选择至少两个判定电位之中的一个,对该选择的判定电位和基于所述逆流防止部的下游的电位的比较电位进行比较,对满充电状态进行检测;

切断部,在所述比较检测部检测到满充电状态时,切断向所述逆流防止部的所述充电电流的供给。

2.如权利要求1所述的充电装置,其特征在于,

所述比较检测部包括:经由共同的恒流源连接在所述逆流防止部的上游的电位和基准电位之间的基准电流支路以及至少两个判定电流支路;选择所述判定电流支路之一的选择部,

所述基准电流支路包括具有与所述基准电位连接的栅极的第一场效应晶体管的源极-漏极路径,

各个所述判定电流支路包括具有与所述比较电位连接的栅极的第二场效应晶体管的源极-漏极路径、以及与其串联连接并且在被所述选择部选择时导通的开关,

所述第二场效应晶体管的各自的源极-漏极间导通开始栅极电压彼此不同。

3.如权利要求2所述的充电装置,其特征在于,

所述第一场效应晶体管是耗尽型场效应晶体管,

所述第二场效应晶体管是增强型场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的充电装置,其特征在于,

所述基准电位是接地电位。

5.如权利要求1所述的充电装置,其特征在于,

包括降压部,该降压部将所述逆流防止部的下游的电位降压预定电压并且将其作为所述比较电位。

6.如权利要求1所述的充电装置,其特征在于,

所述切断部使所述充电电流进行放电,由此,切断所述充电电流的向所述逆流防止部的供给。

7.如权利要求1所述的充电装置,其特征在于,

所述逆流防止部的下游被分为第一供给目的地和第二供给目的地,

所述充电装置还包括根据所述比较检测部的检测结果将所述充电电流的供给目的地在所述第一供给目的地和所述第二供给目的地之间彼此进行切换的切换部。

8.如权利要求7所述的充电装置,其特征在于,

所述比较检测部将所述检测结果作为所述选择信号。

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