[发明专利]制造光学传感器的方法无效
申请号: | 201110261646.1 | 申请日: | 2011-08-29 |
公开(公告)号: | CN102386198A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 松木康浩;铃木隆典;都筑幸司;长谷川真;小坂忠志;中山明哉 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 卜荣丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 光学 传感器 方法 | ||
1.一种制造光学传感器的方法,所述方法包括以下步骤:
提供具有多个像素区域的半导体晶片;
在半导体晶片上形成包围每个像素区域的网格状肋,所述网格状肋具有预定宽度并由固定构件形成;
提供透光衬底,在所述透光衬底的主表面上具有间隙部分,所述间隙部分具有宽度比网格状肋的宽度小的沟槽和直径比网格状肋的宽度小的多个通孔中的至少一种;
固定半导体晶片和透光衬底,以使得网格状肋和间隙部分彼此面对;和
将固定的半导体晶片和透光衬底切割为片,以使得每片包括一个像素区域。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在固定半导体晶片和透光衬底的步骤之后且在将固定的半导体晶片和透光衬底切割为片的步骤之前,在半导体晶片中形成穿透电极并在半导体晶片的与透光衬底相对的表面上形成布线和连接端子的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述固定构件上的网格状肋的宽度为从1.0mm到2.0mm,设在透光衬底中的沟槽的宽度或者所述多个通孔的直径为网格状肋的宽度的30%到50%。
4.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述沟槽和所述多个通孔以网格状方式布置,所述沟槽和所述多个通孔中的至少一种设置在所述间隙部分中。
5.根据权利要求4所述的方法,
其中,在将固定的半导体晶片和透光衬底切割为片的步骤中,沿着设在透光衬底中的所述沟槽和所述多个通孔中的至少一种执行切片。
6.根据权利要求5所述的方法,
其中,所述提供透光衬底的步骤包括提供具有沟槽的透光衬底的步骤,并且在将固定的半导体晶片和透光衬底切割为片的步骤中,切片宽度比沟槽的宽度小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的