[发明专利]一种OLEDoS微显示器件有效
申请号: | 201110259764.9 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102306708A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 杜寰;韩郑生;赵毅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;C03C3/095 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oledos 显示 器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种OLEDoS微显示器件,尤其涉及该显示器件所用的玻璃板。
背景技术
在高度信息化社会中,OLEDoS微显示技术扮演的角色越来越重要,相比于液晶平板显示技术,OLEDoS微显示技术是主动发光器件,具有亮度高、响应速度快,重量轻、功耗低等优点。因此,在军用头盔、医疗以及消费电子等方面具有十分广泛的应用。
OLEDoS微显示器件由硅基衬底和玻璃板组成。这些玻璃板必须满足高标准:(1)具有较高的玻璃应变温度,使玻璃基板转化成具有高热安定性;(2)与硅晶体有更接近的热膨胀系数,以开启在玻璃上能镶合硅芯片的可能性;(3)耐化学性,使制作工艺能在严苛的蚀刻条件下进行;(4)不会有碱金属离子迁移出玻璃表面而破坏晶体管等组件;(5)较高的比弹性模量。
发明内容
本发明针对OLEDoS微显示器件的玻璃板必须满足上述高标准的需求,提供一种OLEDoS微显示器件。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种OLEDoS微显示器件由基于CMOS工艺制备的驱动芯片作为器件的阳极;在芯片表面生长有机发光材料,封盖器件顶部、具有ITO层的玻璃板作为器件的阴极,该器件玻璃板的各组分重量百分比组成为:58%~64%的SiO2、8%~15%的B2O3、12%~16%的Al2O3、5%~9%的MgO、6%~8%的CaO、2%~4%的BaO、1%~4%的Y2O3、0%~2%的SnO2,0~0.5%的CeO2,0~1%的Cl,0.005%~0.1%的R2O,其中,R=Li,Na或K,所述SnO2、CeO2和Cl的重量百分比不同时为0。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述SiO2的重量百分比含量为59%~60%。
进一步,所述B2O3的重量百分比含量为9%~11%。
进一步,所述Al2O3的重量百分比含量为14%~15%。
进一步,所述MgO的重量百分比含量为5%~7%。
进一步,所述CaO的重量百分比含量为6%~7%。
进一步,所述Y2O3的重量百分比含量为2%~3%。
进一步,所述R2O的重量百分比含量为0.01%~0.6%。
本发明的有益效果是:本发明用于OLEDoS微显示器件的玻璃板是具有高应变点、低膨胀系数、高弹性模量、基本无碱的高弹性模量的铝硼硅酸盐玻璃,应用在OLEDoS微显示器件件上可以使OLEDoS微显示器件件具有非常好的热稳定性和高可靠性。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
本发明用于OLEDoS微显示器件的玻璃板的密度小于2.38g/cm3,20~300℃范围的平均线膨胀系数大于31×10-7/℃,小于39×10-7/℃,优选小于38×10-7/℃;应变点大于650℃,优选不低于660℃;弹性模量大于7.3kg/mm2,优选大于7.4kg/mm2,更优选大于7.5kg/mm2,该玻璃应用于OLEDoS微显示器件可以提高器件的亮度,提高器件的热稳定性和可靠性,提高器件的抗真空压力的强度。
在本发明中,SiO2的重量百分率为58~64%。SiO2为主要的玻璃网络形成剂,可以降低玻璃的热膨胀系数和密度,提高玻璃应变点,但增加玻璃熔点。SiO2含量低于58wt%时,不易获得低膨胀、低密度和高应变点的玻璃,会降低玻璃的耐酸性等化学稳定性;SiO2含量在64wt%以上时,玻璃的高温粘度增加,造成玻璃熔制温度过高,玻璃熔制困难,优选控制58~62%,更优选控制在59~60%。
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