[发明专利]波长转换结构及其制造方法以及发光装置有效
| 申请号： | 201110253482.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102956800A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋;黄苡叡;洪盟渊;许明祺 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 转换 结构 及其 制造 方法 以及 发光 装置 | ||
1.一种波长转换结构，包含：
第一荧光粉层，包括多个第一荧光粉颗粒；以及
第二荧光粉层位于该第一荧光粉层上，包括多个第二荧光粉颗粒，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径不相同于该第一荧光粉颗粒的平均粒径。
2.如权利要求1所述的波长转换结构，还包含导电基板于该第一荧光粉层的一侧。
3.如权利要求1所述的波长转换结构，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径大于该第一荧光粉颗粒的平均粒径。
4.如权利要求1所述的波长转换结构，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径和该第一荧光粉颗粒的平均粒径比为3∶1至5∶1之间。
5.如权利要求1所述的波长转换结构，其中该第一荧光粉颗粒的粒径分布范围介于225-275纳米，及/或其中该第二荧光粉颗粒的粒径分布范围介于740-910纳米。
6.如权利要求1-5中任一项所述的波长转换结构，其中，该第一荧光粉层和该第二荧光粉层包含黄色荧光粉。
7.如权利要求6所述的波长转换结构，还包括有机化合物或无机化合物填充于该第一荧光粉颗粒及/或该第二荧光粉颗粒之间，其中该有机化合物及无机化合物的折射率约介于1.45至2。
8.如权利要求1所述的波长转换结构，其中该第一荧光粉层的厚度约为该第一荧光粉颗粒的平均粒径的1.5至4倍。
9.一种波长转换结构的制造方法，包含：
形成第一荧光粉层，包括多个第一荧光粉颗粒；
形成第二荧光粉层于该第一荧光粉层之上，包括多个第二荧光粉颗粒，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径不相同于该第一荧光粉颗粒的平均粒径。
10.如权利要求9所述的波长转换结构的制造方法，还包含基板于该第一荧光粉层的一侧。
11.如权利要求10所述的波长转换结构的制造方法，其中，该第一及/或该第二荧光粉层可利用电泳法或重力沉积法形成于该基板之上。
12.如权利要求9所述的波长转换结构的制造方法，还包括形成有机化合物或无机化合物于该第一荧光粉颗粒及/或该第二荧光粉颗粒之间。
13.如权利要求12所述的波长转换结构的制造方法，其中该有机化合物包含硅胶，其中该硅胶系利用填胶法形成。
14.一种发光装置，包含：
载板；
发光元件，设置于该载板之上；
波长转换结构，位于该发光元件上，该波长转换结构包含：
第一荧光粉层，包括多个第一荧光粉颗粒；以及
第二荧光粉层，位于该第一荧光粉层上，包括多个第二荧光粉颗粒，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径不相同于该第一荧光粉颗粒的平均粒径。
15.如权利要求14所述的发光装置，还包含导电基板于该第一荧光粉层的一侧。
16.如权利要求14所述的发光装置，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径大于该第一荧光粉颗粒的平均粒径。
17.如权利要求14所述的发光装置，其中该第二荧光粉颗粒的平均粒径和该第一荧光粉颗粒的平均粒径比为3∶1至5∶1之间。
18.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一荧光粉颗粒的粒径分布范围介于225-275纳米，及/或该第二荧光粉颗粒的粒径分布范围介于740-910纳米。
19.如权利要求14-18中任一项所述的发光装置，其中该第一荧光粉层和该第二荧光粉层包含黄色荧光粉。
20.如权利要求19所述的发光装置，还包括有机化合物或无机化合物填充于该第一荧光粉颗粒及/或该第二荧光粉颗粒之间，其中该有机化合物或无机化合物的折射率约介于1.45至2。
21.如权利要求18所述的发光装置，其中该第一荧光粉层的厚度约为该第一荧光粉颗粒平均粒径的1.5至4倍。
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