[发明专利]一种正交振荡器及生成正交信号的方法有效
| 申请号： | 201110249556.0 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102457229A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吕盈达;陈和祥;周淳朴;薛福隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B27/00 | 分类号： | H03B27/00;H03B5/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 正交 振荡器 生成 信号 方法 | ||
1.一种正交振荡器，其特征在于，所述正交振荡器包含：
一第一振荡器，具有一第一二阶谐波节点；
一第二振荡器，具有一第二二阶谐波节点；以及
至少一电容器，耦合所述第一二阶谐波节点以及所述第二二阶谐波节点，
其中，所述第一振荡器用于提供一同相信号，所述第二振荡器用于提供一正交信号。
2.根据权利要求1所述的正交振荡器，其特征在于，所述第一二阶谐波节点与所述第二二阶谐波节点相位相差180度。
3.根据权利要求1所述的正交振荡器，其特征在于，所述电容器的总电容至少是所述第一二阶谐波节点或所述第二二阶谐波节点的寄生电容的三倍。
4.根据权利要求1所述的正交振荡器，其特征在于，所述第一振荡器和所述第二振荡器是差分压控振荡器。
5.根据权利要求1所述的正交振荡器，其特征在于，所述第一振荡器包含：
一第一NMOS晶体管，具有一第一源极，与一第一电流源耦合；以及
一第二NMOS晶体管，具有一第二源极，与所述第一电流源耦合，
其中，所述第一源极与所述第二源极也与所述电容器的一第一端耦合。
6.根据权利要求5所述的正交振荡器，其特征在于，所述第一振荡器还包含一第一PMOS晶体管，具有一第一漏极，与所述第一NMOS晶体管的一第二漏极耦合以及一第二PMOS晶体管，具有一第三漏极，与所述第二NMOS晶体管的一第四漏极耦合，所述第二振荡器包含一第三NMOS晶体管，具有一第三源极，与一第二电流源耦合以及一第四NMOS晶体管，具有一第四源极，与所述第二电流源耦合，其中，所述第三源极与所述第四源极也与所述电容器的一第二端耦合。
7.根据权利要求1所述的正交振荡器，其特征在于，所述第一振荡器包含：
一第一PMOS晶体管，具有一第一源极，与一第一电流源耦合；以及
一第二PMOS晶体管，具有一第二源极，与所述第一电流源耦合，
其中，所述第一源极和所述第二源极也与所述电容器的一第一端耦合。
8.根据权利要求7所述的正交振荡器，其特征在于，所述第一振荡器包含一第一NMOS晶体管，具有一第一漏极，与所述第一PMOS晶体管的一第二漏极耦合以及一第二NMOS晶体管，具有一第三漏极，与所述第二PMOS晶体管的一第四漏极耦合，所述第二振荡器包含一第三PMOS晶体管，具有一第三源极，与一第二电流源耦合以及一第四PMOS晶体管，具有一第四源极，与所述第二电流源耦合，其中，所述第三源极和所述第四源极也与所述电容器的一第二端耦合。
9.一种生成正交信号的方法，其特征在于，所述方法包含：
将一第一振荡器与至少一电容器的一第一端在所述第一振荡器的一第一二阶谐波节点处耦合；
将一第二振荡器与所述电容器的一第二端在所述第二振荡器的一第二二阶谐波节点处耦合；以及
通过所述第一振荡器与所述第二振荡器提供一同相信号与一正交信号，其中所述同相信号和所述正交信号相位相差90度。
10.根据权利要求9所述的生成正交信号的方法，其特征在于，所述第一二阶谐波节点与所述第二二阶谐波节点相位相差180度，所述电容器的总电容至少是所述第一二阶谐波节点或所述第二二阶谐波节点的寄生电容的三倍，所述第一振荡器和所述第二振荡器是差分压控振荡器。
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