[发明专利]等离子体处理设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年1月10提交的韩国专利申请No.10-2011-0002466的优先权的权益，该申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明提供一种等离子体处理设备，更具体地，涉及一种能够产生电感耦合等离子体(inductively coupled plasma，ICP)和电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，CCP)的等离子体处理设备。

背景技术

等离子体已被用于制造半导体和显示器件的各种工艺，例如沉积、蚀刻、剥落、清洁等工艺。目前，作为通常用于半导体和显示器件的制造领域的等离子体源包括电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，CCP)源和电感耦合等离子体(inductively coupled plasma，ICP)源。

典型的CCP系统在平行的电极之间施加射频(RF)电能，并且通过分布在电极表面上的电荷形成电场，由此产生等离子体。因此，使用CCP源的设备一般包括放置晶片或基板的下电极和具有用于气体注入的喷淋头的上电极。

典型的ICP系统对线圈型天线施加射频(RF)电能并且通过流过天线的电流感生电场，由此产生等离子体。因此，使用ICP源的设备通常被构造为使得线圈型天线布置在等离子体产生空间之外并且具有介电窗(诸如石英)，从而在等离子体产生空间中感生电场。

与CCP源相比，ICP源的优点是在低压区有效地产生等离子体并获得高密度的等离子体。因此，ICP源的应用领域有扩大的趋势。

在显示器件制造领域，鉴于消费者的需求和生产效率，大尺寸屏幕必须包括大尺寸基板。为了处理大尺寸基板，需要大尺寸的介电窗，但是考虑到介电窗的机械硬度、对等离子体有影响的介电窗的厚度等，通常倾向于将多个介电窗布置在格状框架中。

然而，格状框架显示出在纵向框架和横向框架彼此相交的地方等离子体密度下降的现象。因此，存在等离子体的均匀性下降的问题。

发明内容

因此，构思本发明以解决上述问题，并且本发明的一个方面是提供一种用于大尺寸基板的等离子体处理设备，该等离子体处理设备可以均匀地产生等离子体。

在一个方面，一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括等离子体处理空间和开口的顶部；介电窗，遮盖所述腔室的顶部；窗框架，支撑所述介电窗；天线，位于所述介电窗上并且使得电感耦合等离子体(ICP)产生在所述等离子体处理空间中；电容耦合等离子体(CCP)框架，布置在所述天线下方并且使得电容耦合等离子体产生在所述等离子体处理空间中；以及基座，布置在所述等离子体处理空间中，作为待处理物体的基板安放在所述基座上。

这样，根据本发明的示例性实施例的等离子体处理设备可以获得电感耦合等离子体(ICP)和电容耦合等离子体(CCP)两者、有利于ICP的初始放电、防止因框架而发生的等离子体减少以及提高处理速度。

因此，本发明的技术效果不限于上述效果，并且从下面的描述中本领域技术人员将清楚地理解以上未提及的其它技术效果。

附图说明

图1是根据本发明的示例性实施例的等离子体处理设备的示意性侧剖图；

图2是根据本发明的示例性实施例的等离子体处理设备的窗框架、CCP框架及天线的透视图；

图3是沿图2的A-A’线截开的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。然而，该示例性实施例不限于以下公开的示例性实施例，而是可以实现为各种形式。仅为了使本发明的公开内容完整并且使本领域普通技术人员完全理解本发明的范围，才提供该示例性实施例。在所有附图中，为了更清楚地进行说明，可以夸大部件的形状等，并且相同的附图标记表示相同的部件。

下面将参照附图详细描述根据本发明的示例性实施例的等离子体处理设备。图1是根据本发明的示例性实施例的等离子体处理设备的示意性侧剖图。

如图1所示，根据本发明的示例性实施例的等离子体处理设备100包括：腔室110，所述腔室110具有开口的顶部并形成等离子体处理空间10；介电窗120，遮盖所述腔室110的开口的顶部；窗框架130，支撑所述介电窗120；天线150，位于介电窗120的顶部并且在等离子体处理空间10中产生电感耦合等离子体(ICP)；电容耦合等离子体(CCP)框架140，布置在窗框架130中并且产生CCP；以及基座160，布置在等离子体处理空间10内并且在其上放置待处理物体。