[发明专利]等离子体处理设备无效
| 申请号： | 201110248521.5 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102592935A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 孙亨圭;李荣钟;姜赞镐 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 | ||
1.一种等离子体处理设备，包括：
腔室，包括等离子体处理空间和开口的顶部；
介电窗，遮盖所述腔室的顶部；
窗框架，支撑所述介电窗；
天线，位于所述介电窗上并且使得电感耦合等离子体(ICP)产生在所述等离子体处理空间中；
电容耦合等离子体(CCP)框架，布置在所述天线下方并且使得电容耦合等离子体产生在所述等离子体处理空间中；以及
基座，布置在所述等离子体处理空间中，作为待处理物体的基板安放在所述基座上。
2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述电容耦合等离子体框架布置在被所述窗框架划分的区域中，并且所述电容耦合等离子体框架和所述窗框架支撑所述介电窗的侧面部分。
3.如权利要求2所述的等离子体处理设备，其中，所述窗框架包括形成边缘的外部框架和将所述外部框架和所述电容耦合等离子体框架连接的桥框架。
4.如权利要求3所述的等离子体处理设备，进一步包括在所述电容耦合等离子体框架和所述桥框架之间的介电膜。
5.如权利要求4所述的等离子体处理设备，其中，所述介电膜包括弹性介电材料并且所述介电膜保持所述等离子体处理空间密封。
6.如权利要求2所述的等离子体处理设备，其中，所述电容耦合等离子体框架形成为支撑多个介电窗中的在所述电容耦合等离子体框架内的N2个介电窗，并且所述窗框架支撑沿所述电容耦合等离子体框架的周边放置的另外(N+2)2-N2个介电窗。
7.如权利要求1所述的等离子体处理设备，进一步包括用于向所述天线供电的第一电源和用于向所述电容耦合等离子体框架供电的第二电源。
8.如权利要求7所述的等离子体处理设备，进一步包括设置在所述第一电源和所述第二电源之间并控制从每个电源供应的电力的控制模块。
9.如权利要求7所述的等离子体处理设备，进一步包括设置在所述第一电源和所述第二电源之间并控制从每个电源供应的频率的控制模块。
10.如权利要求7所述的等离子体处理设备，其中，所述介电窗和所述电容耦合等离子体框架彼此电绝缘。
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