[发明专利]包括互连级的集成电路

说明书

背景技术

在集成电路中，电流典型地经由布线区域内的连接路径（例如经由接触通孔电耦合的互连级的连接布线）从诸如电池引脚的外部引脚流入诸如场效应晶体管（FET）的漏极的半导体器件端子。

在半导体功率器件应用中，大电流必须经由互连级从外部引脚引导到半导体器件端子。为了满足半导体功率器件的可靠性和功耗能力的需求，对于满足这些需求的互连级设计存在需要。

由于这些和其他原因，需要本发明。

发明内容

根据集成电路的一个实施例，集成电路包括上互连级，该上互连级包括连续上互连区域，该连续上互连区域包括多个上接触孔。集成电路还包括下互连级，该下互连级包括连续下互连区域，该连续下互连区域包括多个下接触孔。第一接触通过下接触孔延伸到上互连区域且第二接触通过上接触孔连接到下互连区域。

根据集成电路的另一实施例，集成电路至少包括第一、第二、第三和第四互连级。第一互连级包括电耦合到半导体基板内形成的半导体器件的第一端子的多个第一互连区域且还包括电耦合到半导体器件的第二端子的多个第二互连区域。第二互连级包括第三互连区域，该第三互连区域包括多个第一孔。第三互连级包括第四互连区域，该第四互连区域包括多个第二孔。第四互连级包括第一接触区域和第二接触区域，该第一接触区域经由第四互连区域和通过第三互连区域中的多个第一孔延伸的第一接触电耦合到第一互连级的第一互连区域，该第二接触区域经由第三互连区域和通过第四互连区域中的多个第二孔延伸的第二接触电耦合到第一互连级的第二互连区域。

当阅读下面的详细描述且参考附图时，本领域技术人员将意识到附加特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供实施例的进一步理解，附图结合到本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出实施例且与说明一起用于解释实施例的原理。将容易意识到其他实施例和实施例的很多潜在优点，因为通过参考下面的详细描述，它们将变得更好地理解。附图的元件不必彼此相对地按比例绘制。相似的参考标号指示相应的类似部分。

从参考附图的下面的描述将显见实施例的特征和优点。附图不必按比例绘制，而是重点强调原理。各种示出的实施例的特征可以以任意方式组合，除非它们彼此排斥。

图1A说明根据一个实施例的集成电路的上互连级和下互连级的一部分的顶视图。

图1B说明图1A的上互连级的顶视图。

图1C说明图1A的下互连级的顶视图。

图1D说明沿着图1A的线A-A’的剖面图。

图1E说明沿着图1A的线B-B’的剖面图。

图2A说明根据另一实施例包括第四互连级的集成电路的一部分的示意性顶视图。

图2B说明沿着图2A的线C-C’的剖面图。

图2C说明沿着图2A的线D-D’的剖面图。

图2D说明图2B中说明的集成电路的一部分的示意性顶视图。

图2E说明图2C中说明的集成电路的一部分的示意性顶视图。

具体实施方式

图1A说明根据一个实施例的集成电路100的上互连级105的一部分的顶视图。上互连级105包括连续上互连区域110。上互连区域110包括其中的多个接触孔115。

集成电路100还包括通过虚线示意性说明的下互连级125。上互连级105和下互连级125在图1A的示意性说明中叠加。为了在与上互连级105相关的所示元件和与下互连级125相关的所示元件之间更好地区分，虚线用于说明与下互连级125相关的元件且实线用于说明与上互连级105相关的元件。

下互连级125包括连续下互连区域130。下互连区域130包括在其中形成的多个下接触孔135。

第一接触140通过下接触孔135延伸到上互连区域110。第二接触145通过上接触孔115延伸到下互连区域130。

根据一个实施例，第一接触140中的每一个与下互连区域130电绝缘且包括由下互连级125的材料形成的一部分。同样，第二接触145中的每一个与上互连区域110电绝缘且包括由上互连级105的材料形成的一部分。

根据一个实施例，第二接触145中的每一个电耦合到布置在上互连级105上方的接触区域，接触区域的厚度至少是下互连级125（图1A中未示出）的厚度的5至30倍。作为示例，接触区域可以通过对诸如Cu层的功率金属化层进行构图形成。

当在此使用时，术语“电耦合”并不意味着元件必须直接耦合在一起而是可以在“电耦合”元件之间提供居间元件。