[发明专利]一种三维TiO2晶体膜的制备方法

权利要求书

1.一种三维TiO₂晶体膜的制备方法，包括采用常压低温射频介质阻挡辉光放电方法，将放电气体通入介质阻挡放电等离子体反应器中，通射频交流电使所述放电气体放电产生等离子体射流，将前驱体和载气送入等离子体区进行反应并沉积在基底上，得到三维TiO₂晶体膜，其特征在于，所述的沉积为内辉光沉积，所述的载气为氩气或氦气，载气的流量为1-100sccm，所述的前驱体的流量为0.01-1sccm。

2.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所得的三维TiO₂晶体膜在室温下用325 nm波长的激光激发具有肉眼可辨的可见荧光。

3.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的前驱体为四氯化钛或四氟化钛。

4.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的放电气体为氦气、氩气或氧气，流量分别为0.1-5 SLM、0.1-5 SLM和5-500sccm。

5.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的介质阻挡放电等离子体反应器为电容耦合同轴等离子体反应器、圆柱形等离子体反应器或平行板等离子体反应器。

6.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的基底的材料为玻璃、石英、氧化铝陶瓷、硅片、聚酯薄膜、不锈钢、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚碳、聚苯胺等薄膜或无纺布。

7.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的介质阻挡放电等离子体反应器的阻挡介质为石英、氧化铝陶瓷、聚四氟乙烯、玻璃或云母。

8.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的基底位于电极之间。

9.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的介质阻挡放电等离子体反应器的放电间隙为1-10mm。

10.如权利要求1所述的三维TiO₂晶体膜的制备方法，其特征在于，所述的射频交流电的频率为300KHz-30GHz，功率为20-500W。