[发明专利]固态成像装置和电子设备无效
申请号: | 201110242897.5 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN102386193A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 高见将史;吉永陵马;古川明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
光电转换单元,以矩阵的形式设置在成像区域和围绕该成像区域的周边区域中;
转移电极,提供在该光电转换单元的侧方并沿该矩阵的垂直方向排列;以及
多层配线结构中的第一层配线和第二层配线,设置为在该矩阵的水平方向上连接该转移电极,其中
在该周边区域中,该第一层配线和该第二层配线提供为用于覆盖该光电转换单元的遮光图案。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中每个该第二层配线提供为覆盖该第一层配线的图案之间的间隙。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中与该第一层配线或该第二层配线在同一层形成的遮光掩模提供在该周边区域中的该光电转换单元的上方,该遮光掩模与该第一层配线和该第二层配线绝缘。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中该遮光掩模连接到地线。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
遮光膜,设置在提供有该第一层配线和该第二层配线的该成像区域和该周边区域上;
平坦化绝缘膜,覆盖该成像区域和该周边区域;以及
微型透镜,与该光电转换单元相对应地排列在该平坦化绝缘膜上,该遮光膜、该平坦化绝缘膜和该微型透镜依次设置。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中该遮光膜具有使配置于该成像区域的该光电转换单元的上方露出的传感器开口。
7.一种电子设备,包括:
固态成像装置;
光学系统,将入射光引导到该固态成像装置的成像区域;以及
信号处理电路,处理从该固态成像装置输出的信号,其中
该固态成像装置包括:光电转换单元,以矩阵的形式设置在成像区域和围绕该成像区域的周边区域中;转移电极,提供在该光电转换单元的侧方并沿该矩阵的垂直方向排列;以及多层配线结构中的第一层配线和第二层配线,设置为在该矩阵的水平方向上连接该转移电极,并且其中
在该周边区域中,该第一层配线和该第二层配线提供为用于覆盖该光电转换单元的遮光图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的