[发明专利]电压电平移位器无效
申请号: | 201110241604.1 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN102447469A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 陈柏宏;许国原;严光武;林松杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;高雪琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 电平 移位 | ||
技术领域
本公开涉及一种电压电平移位器。
背景技术
集成电路中的地或接地节点是其他待测电压的参考点。一般地,接地节点处的电压电平为0伏(V)。然而,很多电路具有多于一个的接地区域或接地节点,其中,例如,第一子电路使用第一接地节点,第二子电路使用第二接地节点,而两个接地节点处的电压电平彼此不同。类似地,电路可以具有多于一个的电源区域,其具有多于一个的电源,以提供多于一个的电源电压。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种电路,包括:第一反相器,第一反相器的输入端被配置为用作输入端节点;第二反相器,第一反相器的输出端连接至第二反相器的输入端,第二反相器的输出端被配置为用作输出端节点;第三反相器,第三反相器的输入端连接至第一反相器的输入端;以及第一NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的栅极连接至第三反相器的输出端,第一NMOS晶体管的漏极连接至第二反相器,第一NMOS晶体管的源极被配置为用作输入端电平节点,其中,当输入端节点被配置为接收低逻辑电平时,输出端节点被配置为接收由输入端电平节点处的电压电平提供的电压值。
该电路还包括第二NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的栅极连接至输出端节点,第二NMOS晶体管的漏极连接至第三反相器,以及第二NMOS晶体管的源极连接至第一NMOS晶体管的源极。
其中,第二反相器包括:PMOS晶体管,具有PMOS源极、PMOS漏极、和PMOS栅极;以及第二NMOS晶体管,具有第二NMOS漏极、第二NMOS源极、和第二NMOS栅极;PMOS栅极连接至第二NMOS栅极,并被配置为用作第二反相器的输入端;PMOS源极连接至电源电压源;PMOS漏极连接至第二NMOS漏极,并被配置为用作输出端节点;以及第二NMOS源极,连接至第一NMOS晶体管的漏极。
其中,当输入端节点被配置为接收高逻辑电平时,输出端节点被配置为接收由电源电压源提供的电压值。
其中,第二反相器被配置为从第二反相器电源接收第二反相器供电;以及当输入端节点被配置为接收高逻辑电平时,输出端节点被配置为接收由第二反相器电源提供的电压值。
其中,第一反相器被配置为从第一反相器电源接收第一反相器供电,第一反相器电源与第二反相器电源相同。
其中,第一反相器被配置为从第一反相器电源接收第一反相器供电,第一反相器电源与第二反相器电源不同。
该电路还包括:第一电压源,用于提供第一电源电压;第二电压源,用于提供第二电源电压;第一接地参考源,用于提供第一接地参考电压;以及第二接地参考源,用于生成第二接地参考电压,其中,第一电压源和第一接地参考源是由第一反相器使用的,第二电压源是由第二反相器使用的,第二接地参考源连接至第一NMOS晶体管的源极。
其中,第一电压源、第二电压源、第一接地参考源、和第二接地参考源被配置为满足下列条件中的至少一个:
VDD1>Vtn1+VSS1;
VDD2>Vtn2+VSS2;
VDD1>Vtn2+VSS2;以及
VDD1>VDD2-|Vtp2|,
其中,VDD 1表示第一电源电压,VDD2表示第二电源电压,VSS1表示第一接地参考,VSS2表示第二接地参考,Vtn1表示第一反相器的NMOS晶体管的阈值电压,Vtn2表示第二反相器和第三反相器中的NMOS晶体管的均阈值电压和第一NMOS晶体管的阈值电压,以及Vtp2表示第二反相器和第三反相器中的PMOS晶体管的阈值电压。
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