[发明专利]电压电平移位器无效

专利信息
申请号: 201110241604.1 申请日: 2011-08-17
公开(公告)号: CN102447469A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 陈柏宏;许国原;严光武;林松杰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电压 电平 移位
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

第一反相器,所述第一反相器的输入端被配置为用作输入端节点;

第二反相器,所述第一反相器的输出端连接至所述第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端被配置为用作输出端节点;

第三反相器,所述第三反相器的输入端连接至所述第一反相器的输入端;以及

第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极连接至所述第三反相器的输出端,所述第一NMOS晶体管的漏极连接至所述第二反相器,所述第一NMOS晶体管的源极被配置为用作输入端电平节点,

其中,当所述输入端节点被配置为接收低逻辑电平时,所述输出端节点被配置为接收由所述输入端电平节点处的电压电平提供的电压值。

2.根据权利要求1所述的电路,还包括第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管的栅极连接至所述输出端节点,所述第二NMOS晶体管的漏极连接至所述第三反相器,以及所述第二NMOS晶体管的源极连接至所述第一NMOS晶体管的源极。

3.根据权利要求1所述的电路,其中:

所述第二反相器包括:

PMOS晶体管,具有PMOS源极、PMOS漏极、和PMOS栅极;以及

第二NMOS晶体管,具有第二NMOS漏极、第二NMOS源极、和第二NMOS栅极;

所述PMOS栅极连接至所述第二NMOS栅极,并被配置为用作所述第二反相器的输入端;

所述PMOS源极连接至电源电压源;

所述PMOS漏极连接至所述第二NMOS漏极,并被配置为用作所述输出端节点;以及

所述第二NMOS源极,连接至所述第一NMOS晶体管的漏极。

4.根据权利要求1所述的电路,还包括:

第一电压源,用于提供第一电源电压;

第二电压源,用于提供第二电源电压;

第一接地参考源,用于提供第一接地参考电压;以及

第二接地参考源,用于生成第二接地参考电压,其中,所述第一电压源和所述第一接地参考源是由所述第一反相器使用的,所述第二电压源是由所述第二反相器使用的,所述第二接地参考源连接至所述第一NMOS晶体管的源极。

5.根据权利要求4所述的电路,其中,所述第一电压源、所述第二电压源、所述第一接地参考源、和所述第二接地参考源被配置为满足下列条件中的至少一个:

VDD1>Vtn1+VSS1;

VDD2>Vtn2+VSS2;

VDD1>Vtn2+VSS2;以及

VDD1>VDD2-|Vtp2|,

其中,VDD1表示所述第一电源电压,VDD2表示所述第二电源电压,VSS1表示所述第一接地参考,VSS2表示所述第二接地参考,Vtn1表示所述第一反相器的NMOS晶体管的阈值电压,Vtn2表示所述第二反相器和所述第三反相器中的NMOS晶体管的阈值电压和所述第一NMOS晶体管的阈值电压,以及Vtp2表示所述第二反相器和所述第三反相器中的PMOS晶体管的阈值电压。

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