[发明专利]MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201110235672.7 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102378092A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·兰德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 | ||
1.一种MEMS麦克风，包括：
支撑面(106)；
所述支撑面(106)上的麦克风衬底(201，202)；
在所述衬底上支撑的由麦克风振动膜(103)和间隔的背部电极(105)组成的组件，其中所述衬底在所述组件下面具有开口，
其中所述衬底(201，201)包括下部区，所述下部区被图案化以在支撑面(106)与衬底(201，202)之间的界面处限定多个离散的间隔部分(201)或者开口，其中所述图案化仅部分地延伸到所述衬底中。
2.根据权利要求1所述的麦克风，其中所述离散的间隔部分或开口包括衬底的柱状末端阵列。
3.根据权利要求1所述的麦克风，其中所述离散的间隔部分或开口包括同心环阵列。
4.根据任一前述权利要求所述的麦克风，其中所述组件包括：衬底(201，202)上的麦克风振动膜(103)、麦克风振动膜(103)上的牺牲间隔层(104)和牺牲间隔层(104)上支撑的背部电极(105)。
5.根据权利要求4所述的麦克风，还包括：衬底(201，202)与麦克风振动膜(103)之间的绝缘层(102)。
6.根据任一前述权利要求所述的麦克风，其中所述衬底包括SOI衬底布置的基底层，并且所述振动膜包括SOI衬底的顶部硅层。
7.根据任一前述权利要求所述的麦克风，其中所述背部电极包括穿孔层。
8.一种制造MEMS麦克风的方法，包括：
在麦克风衬底(201，202)上形成由麦克风振动膜(103)和间隔背部电极(105)组成的组件；
形成穿过所述组件下面的衬底(201，202)的开口；以及
将衬底和组件附着至支撑面(106)，
其中形成开口还包括：通过仅部分地刻蚀到所述衬底的下表面中，对除了形成开口的地方之外的麦克风衬底(201，202)进行图案化；
使得在附着至支撑面(106)之后，所述支撑面(106)与所述衬底(201，202)之间的界面包括多个离散的间隔部分(201)或开口。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述图案化限定了所述衬底的柱状末端阵列或者同心环阵列。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中在麦克风衬底(201，202)上形成由麦克风振动膜(103)和间隔的背部电极(105)组成的组件包括：处理SOI衬底布置，其中所述衬底包括SOI衬底布置的基底层，并且所述振动膜包括所述SOI衬底的顶部硅层。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中所述图案化限定较窄的沟道，其中选择沟道宽度，使得用于限定开口的刻蚀条件获得部分地穿过衬底(201，202)延伸的沟道。
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