[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 201110229598.8 | 申请日: | 2007-01-17 |
公开(公告)号: | CN102270715A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 洪详竣 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张祥 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,至少包括:
一发光外延结构,具有相对的一第一表面以及一第二表面;
一第一电性欧姆接触层,设于该第一表面上并具有一图案化结构;
一第一欧姆接触金属层,设于该第一电性欧姆接触层上;
一反射金属层,设于该第一欧姆接触金属层上;
一永久基板;及
一扩散阻隔层,位于该永久基板及该反射金属层之间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该发光外延结构具有一p型局限层,靠近该第二表面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该发光外延结构具有一透明电流分散层,靠近该第二表面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该第一电性欧姆接触层的材料选自于由砷化镓、磷化镓砷以及磷化铝镓铟所组成的一族群。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该第一欧姆接触金属层的材料选自于由金锗合金/金复合材料、金/金锗合金/金复合材料以及金锗合金/镍/金复合材料所组成的一族群。
6.根据权利要求1所述的高效率发光二极管,其特征在于,该扩散阻隔层的材料为钼、铂、钨、氧化铟锡、氧化锌或氧化锰。
7.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,更包括:
一接合层,设于扩散阻隔层及该永久基板之间。
8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于,该接合层由一粘着层所构成,且该粘着层的材料为铅锡合金、金锗合金、金铍合金、金锡合金、锡、铟、钯铟合金或硅。
9.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,更包括:
一第二欧姆接触金属层,位于该第二表面上;及
一接合金属垫,位于该第二欧姆接触金属层上。
10.根据权利要求9所述的发光二极管,其特征在于,该第二欧姆接触金属层的材料选自于由金铍合金、金锌合金以及铬金合金所组成的一族群。
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