[发明专利]在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法，该方法包括：

在半导体器件上提供一介质层上沉积金属硬掩膜层，在金属硬掩膜层上沉积硬掩膜层，提供具有沟槽图案及通孔图案的印章；

将具有沟槽图案及通孔图案的印章压印在具有硬掩膜层和金属硬掩膜层的介质层上；

以在介质层上的该压印沟槽图案及通孔图案为掩膜，刻蚀介质层，在介质层中形成沟槽和通孔。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的厚度满足经过压印后，剩余的所述金属硬掩膜层厚度保证在介质层刻蚀沟槽完成之前不会被消耗完。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的厚度为100～500埃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压印之后，在刻蚀之前，还包括：

在介质层上的硬掩膜层被完全压印掉，在介质层上的沟槽区域留有金属硬掩膜层，在介质层上的通孔区域没有金属硬掩膜层，在介质层上的通孔区域表面被压印。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层为氮化钛层、氮化硼层、或者硼和钛的混合氮化物。