[发明专利]一种涂覆型高粘接太阳电池背膜及制备工艺在审
申请号: | 201110219666.2 | 申请日: | 2011-08-02 |
公开(公告)号: | CN102911613A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 林建伟;张育政;夏文进;王鸣光;王志 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;C08L67/02;C08K3/22;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 涂覆型高粘接 太阳电池 制备 工艺 | ||
技术领域:
本发明涉及一种太阳电池背膜,尤其涉及一种涂覆型高粘接太阳电池背膜,同时涉及一种加工该背膜的工艺。
背景技术:
太阳电池板通常是一个叠层结构,一般是由几种高分子材料复合制成,但这种技术制成的太阳能电池背膜涂层面上有波形,导致涂层间不紧致,器件耐久性不高。且背膜完成后还需再与EVA胶膜封装,增加了太阳电池组件的价格工序,密封性能不高。如中国专利申请号为CN201010270646.3号、公开日为2011年4月6日、公开号为CN102005491A的发明专利申请,公开了高氟合晶涂层太阳能光伏电池背膜及其制造方法,该背膜包括自上而下依次 设置的第一基层、第一高氟合晶涂层、第二基层、PET层、第三基层、第二高氟合晶涂层和第四基层的七层结构,第一基层下表面和第二基层上表面之间涂覆设置第一高氟合晶涂层,第三基层下表面和第四基层上表面之间涂覆设置第二高氟合晶涂层,第二基层的下表面和第三基层的上表面之间涂覆设置PET层,所述的第一高氟合晶涂层和第二高氟合晶涂层内分别加入以任意比例混合的纳米碳化硅和纳米氮化铝的混合物。上述方案通过制造高精密无波纹涂覆技术制成7层结构的太阳光伏高氟合晶涂层背膜,采用等离子体硅化钛纳米处理技术处理,使各层表面亲水化,提高各层间的附着力与粘结性。但由于氟材料本身特性,其存在表面能高,表面憎水,粘结性能差。这种背板与EVA的粘接性能降低了,使得背板与EVA的粘接加工工艺变得复杂。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题在于克服上述现有性能缺陷,提供一种具有高粘结性、且具有高耐候性、耐腐蚀性、良好的电气绝缘性能的太阳电池背膜。
本发明所要解决的另一技术问题在于克服上述现有工艺技术之不足,提供一种能够加工具有高粘结性且不易分层的太阳能电池背膜的加工工艺。
按照本发明提供的一种涂覆型高粘接太阳电池背膜采用的主要技术方案为:包括基材和覆合在所述基材至少一个表面的EVA胶膜层。
本发明提供的一种涂覆型高粘接太阳电池背膜还采用如下附属技术方案:
所述基材包括基层和含氟涂层,所述基层的上下外表面均设有所述含氟涂层,所述基层与所述含氟涂层之间设有硅钛化成膜层,所述含氟涂层的外表面设有氟硅氧烷化成膜层。
所述EVA胶膜层的厚度为0.01毫米-0.1毫米。
所述EVA胶膜层是由聚(乙烯-醋酸乙烯)制成。
所述基层为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基层。
所述基层是PET与PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)热融共混而成的高分子合金材料基层,其中PBT或PEN的含量以重量计为1%~50%。
所述基层为超细闭孔式发泡层。
所述基层是在PET中加入选自二氧化硅、氧化钛、氧化铝或氧化锆的无机氧化物形成,其中无机氧化物的含量以重量计为1%~35%。
所述基层的厚度为0.1毫米-10毫米。
所述含氟涂层为四氟乙烯、六氟丙烯和偏氟乙烯的三元共聚物所形成的膜层。
所述含氟涂层中氟树脂的含量以重量计为30%~95%。
所述的含氟涂层的厚度为0.01毫米-0.1毫米。
所述氟硅氧烷化成膜层和硅钛化成膜层的厚度均为0.01微米-5微米。
所述基层表面或所述含氟涂层的内表面经等离子硅钛化处理形成所述硅钛化成膜层。
所述含氟涂层外表面经等离子氟硅氧烷化处理形成所述氟硅氧烷化成膜层。
按照本发明提供的一种涂覆型高粘接太阳电池背膜的加工工艺,主要包括以下步骤:
(1)在基层的两个表面进行等离子化处理,活化所述两个表面;
(2)对活化后基层的两个表面喷涂或滚涂或浸渍硅钛化合物,经20-200摄氏度加热1-600秒,使得在基层的两个表面上形成硅钛化成膜层;
(3)对含有硅钛化成膜层的基层加热至50-200摄氏度后双面覆合厚度为5-200微米的含氟涂层,形成基材;
(4)对含氟涂层的基材的两个表面进行等离子处理,活化所述两个表面;
(5)对活化后基材的两个表面喷涂或滚涂或浸渍氟硅氧烷化合物,经20-200摄氏度加热1-600秒,使基材表面形成氟硅氧烷化成膜层;
(6)在形成氟硅氧烷化成膜层的基材上的任意一面采用流延工艺流延出EVA胶膜层。
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