[发明专利]具有减小的噪声的数字射线照相成像阵列无效

专利信息
申请号: 201110216398.9 申请日: 2011-07-21
公开(公告)号: CN102348073A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: T·J·特雷威尔;G·N·海勒 申请(专利权)人: 卡尔斯特里姆保健公司
主分类号: H04N5/32 分类号: H04N5/32;H01L27/146;A61B6/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐小会;王忠忠
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 减小 噪声 数字 射线 照相 成像 阵列
【权利要求书】:

1.一种射线照相感测阵列,包括:

闪烁器,其构造成响应于照射的接收而发光;

形成在基底上方的多个光敏像素,其设置成形成光耦合于所述闪烁器的光敏区域,其中每个光敏像素包括:

沿所述阵列的第一方向定向的扫描线;

沿所述阵列的第二方向定向的数据线;

偏压线;

切换元件,其包括第一电极、连接于所述数据线的第二电极、以及连接于所述扫描线的控制电极;以及

光敏元件,其包括至少第一电极和第二电极,该第一电极电连接于所述偏压线,并且该第二电极电连接于晶体管的第一电极;以及

多个校正像素,其中每个校正像素包括:

扫描线;

数据线;

耦合在该数据线和该扫描线之间的电容性元件。

2.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述多个校正像素沿所述阵列的至少第一方向布置,或者所述多个校正像素沿所述基底的至少第二方向布置,或者所述多个校正像素在所述多个光敏像素外部,其中所述第一方向是水平或扫描方向,并且所述第二方向是所述阵列的竖直或列方向,或者其中所述多个校正像素的列散布在所述光敏像素的列之间,其中为每个读取集成电路(ROIC)提供散布的校正像素。

3.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述光敏像素的行或列占据所述第一方向上的第一距离,并且所述多个校正像素的行或列占据所述第一方向上的第二距离,其中所述第二距离小于所述第一距离,其中,所述第二距离小于所述第一距离的85%,其中所述第二距离小于所述第一距离的50%,其中所述第二距离小于所述第一距离的25%,或者其中所述第二距离小于所述第一距离的10%。

4.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述电容性元件包括金属-绝缘体-金属型电容器或金属-绝缘体-半导体型电容器,其中所述电容性元件包括第一金属电极、第二金属电极、绝缘体和半导体,其中所述电容性元件包括晶体管,该晶体管包括第一电极、连接于数据线的第二电极、以及连接于扫描线的控制电极,其中所述电容性元件包括所述晶体管,该晶体管包括连接于所述数据线的第一电极和第二电极、以及连接于所述扫描线的控制电极,或者其中所述多个校正像素中的每个校正像素还包括:

偏压线;

并且其中所述电容性元件包括:

晶体管,其包括第一电极、连接于所述数据线的第二电极、以及连接于所述扫描线的控制电极;和

电容器,其包括第一电极、绝缘体和第二电极,该第一电极电连接于所述偏压线,并且该第二电极电连接于所述晶体管的第一电极。

5.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述校正像素不包括所述射线照相感测阵列的光传感器层。

6.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述多个校正像素中的扫描线和列线之间的电容性元件的电容比所述光有源像素中的扫描线和列线之间的电容大比例因子α,或者其中所述校正像素中的扫描线和列线之间的总重叠电容比所述光敏像素中的扫描线和列线之间的总电容大比例因子α,其中,所述比例因子α的值为1、2、二倍、整数倍或小数倍。

7.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述电容性元件包括电容器,并且其中每个数据线竖直定向在每个整个相应的电容器上方。

8.根据权利要求1所述的射线照相感测阵列,其中,所述多个校正像素构造成补偿出现在所述光敏像素中的时间上不与所述光敏像素检测到的暗参考帧或所述光敏像素读取的图像数据的定时有关的噪声,其中,出现在所述光敏像素中的时间上不与从所述光敏像素读取的数据有关的噪声包括下列各项中的至少一种:通过所述数据线产生的电源噪声和电磁干涉噪声、通过所述偏压线产生的电源噪声和电磁干涉噪声、电荷放大器的反馈电容器上的参考电源噪声和噪声电荷、通过所述扫描线产生的电磁干涉噪声或栅极线行选择时钟的馈通。

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