[发明专利]显示面板无效
申请号: | 201110215383.0 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN102280468A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 吴淑芬;杨学炎;林宏森 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
技术领域
本发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于一种子像素排列的显示面板。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED),相比传统的液晶面板,AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广、能耗低等特点,因此,AMOLED被视为下一世代面板的最佳技术。
对于AMOLED的驱动电路设计,需要使用2个以上的薄膜晶体管做驱动,这样使得AMOLED面板的分辨率受到限制,例如当手机需要高分辨率时,将会受限这样驱动电路设计而无法达到高分辨率的需求,于是目前有利用子像素技术来使AMOLED得以实现高分辨率,即减少子像素数量。
请参考图1,图1绘示了现有的AMOLED面板示意图,如图1所示,AMOLED面板1包含多个像素区11,并且每个像素区11包含子像素区11R、子像素区11G及子像素区11B。如图1所示,三个子像素区11R、11G及11B的面积相等,假如每一子像素区为单位子像素区,那么一个像素区相当于3个单位子像素区。但是,以现有的设计,对提高AMOLED面板的分辨率并非理想。
有鉴于此,如何改进显示面板中的像素区中的子像素区的数量,以便提高显示面板的分辨率,是业内相关技术人员亟待解决的一技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种显示面板,包含:一第一子像素区、一第二子像素区以及一第三子像素区,其中,所述第一子像素区的面积大于所述第二子像素区的面积及所述第三子像素区的面积,所述第一子像素排列于所述像素区中的一第一列,所述第二子像素区以及第三子像素区交错排列成所述像素区中的一第二列,所述第一列的面积等于所述第二列的面积。
优选地,第二子像素区的面积与所述第三子像素区的面积相等。
优选地,所述第一子像素区的面积是第二子像素区的面积或所述第三子像素区的面积的两倍。
优选地,所述第一子像素区为绿色发光区。
优选地,所述第二子像素区或所述第三子像素区为红色发光区或蓝色发光区。
优选地,所述第二子像素区为红色发光区。
优选地,第三子像素区为蓝色发光区。
优选地,显示面板还包含多个驱动电路,分别用于驱动所述第一子像素区、所述第二子像素区及所述第三子像素区。
所述驱动电路使所述显示面板对应于有源矩阵。
本发明提出了一种显示面板,包含多个像素区,并且每个像素区又包含3个子像素区,并将此3个子像素区进行一定排列,以使每个像素区的面积相对于现有的每个像素区的面积较小,从而可以实现提高显示面板的分辨率。
附图说明
图1绘示了现有的AMOLED面板示意图;
图2绘示了本发明一实施方式的显示面板的示意图;
图3绘示了本发明另一实施方式的显示面板的示意图。
具体实施方式
下文是举实施例配合所附图式作详细说明,但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围,而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序,任何由元件重新组合的结构,所产生具有均等功效的装置,皆为本发明所涵盖的范围。此外,图式仅以说明为目的,并未依照原尺寸作图。
关于本文中所使用的『约』、『大约』或『大致』一般通常是指数值的误差或范围于百分的二十以内,较好地是于百分的十以内,而更佳地则是于百分的五以内。文中若无明确说明,其所提及的数值皆视作为近似值,即如『约』、『大约』或『大致』所表示的误差或范围。
请参考图2,图2绘示了本发明一实施方式的显示面板的示意图。如图2所示,显示面板2包含多个像素区21及22,需说明的是,在本实施方式中,以4×4像素区为例进行说明,但并不以此为限,可以是M×N像素区,其中M、N为任意正整数。在本实施方式中,显示面板2,较佳地,为AMOLED面板,但不以此为限。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的