[发明专利]浮栅场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种浮栅场效应晶体管，该晶体管自下而上依次包括：控制栅、第一栅极电介质层、浮栅、第二栅极电介质层、有源层，该晶体管的源区和漏区位于所述有源层中，沟道区位于所述源区和漏区之间的所述有源层中。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述控制栅由半导体衬底中的掺杂区形成。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述控制栅由形成在绝缘衬底上的金属或掺杂多晶硅形成。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述控制栅由金属衬底形成。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管，其中所述有源层由多晶硅形成。

6.一种制造浮栅场效应晶体管的方法，包括：

对半导体衬底的一部分进行离子注入，以形成掺杂区；

在所述半导体衬底上沉积第一电介质层；

在所述第一电介质层上形成浮栅层；

在所述浮栅层上沉积第二电介质层；

在所述第二电介质层上形成有源层；

蚀刻所述第一电介质层、所述浮栅层、第二电介质层和有源层形成平台；以及

对所述有源层的两个分离的部分进行离子注入，以形成源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区；

其中，所述沟道区在所述半导体衬底上的投影落入所述掺杂区内。

7.一种制造浮栅场效应晶体管的方法，包括：

在绝缘衬底的一部分上形成用作控制栅的导电材料层；

在所述绝缘衬底和所述导电材料层上沉积第一电介质层；

在所述第一电介质层上形成浮栅层；

在所述浮栅层上沉积第二电介质层；

在所述第二电介质层上形成有源层；

蚀刻所述第一电介质层、所述浮栅层、第二电介质层和有源层以形成平台；以及

对所述有源层的两个分离的部分进行离子注入，以形成源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区；

其中，所述沟道区在所述绝缘衬底上的投影落入所述导电材料层的范围内。

8.一种制造浮栅场效应晶体管的方法，包括：

在金属衬底上沉积第一电介质层；

在所述第一电介质层上形成浮栅层；

在所述浮栅层上沉积第二电介质层；

在所述第二电介质层上形成有源层；

蚀刻所述第一电介质层、所述浮栅层、第二电介质层和有源层，形成平台；以及

对所述有源层的两个分离的部分进行离子注入，以形成源区和漏区。

9.根据权利要求6-8之一所述的方法，其中：在所述第二电介质层上形成有源层包括：

在所述第二电介质层上沉积非晶硅层，晶化该非晶硅层以形成多晶硅层。